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龍圖騰網恭喜西安電子科技大學申請的專利一種均流的碳化硅功率模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117423672B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311294973.6，技術領域涉及：H01L23/49；該發明授權一種均流的碳化硅功率模塊是由袁嵩;賈道勇;江希;王穎;弓小武設計研發完成，并于2023-10-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種均流的碳化硅功率模塊在說明書摘要公布了：本發明涉及一種均流的碳化硅功率模塊，包括：基板、若干第一功率芯片、若干第二功率芯片、若干第一功率端子、若干第二功率端子和若干第三功率端子，基板包括第一功率導電面、第二功率導電面和第三功率導電面，第一功率導電面、第三功率導電面、第二功率導電面間隔排布，第三功率導電面和第二功率導電面傾斜交錯；若干第一功率芯片分布在第一功率導電面上；若干第二功率芯片并聯分布在第二功率導電面上；若干第一功率端子分布在第一功率導電面上；若干第二功率端子分布在第二功率導電面上；若干第三功率端子分布在第三功率導電面上。該功率模塊降低了功率回路寄生電感，提高了芯片之間的電流均流程度。

本發明授權一種均流的碳化硅功率模塊在權利要求書中公布了：1.一種均流的碳化硅功率模塊，其特征在于，包括：基板、若干第一功率芯片1、若干第二功率芯片5、若干第一功率端子6、若干第二功率端子8和若干第三功率端子7，所述基板包括第一功率導電面12、第二功率導電面14和第三功率導電面13，其中，所述第一功率導電面12、所述第三功率導電面13、所述第二功率導電面14依次間隔排布，所述第三功率導電面13和所述第二功率導電面14之間傾斜交錯以使得傾斜交錯位置處的電流路徑相互平行交錯且方向相反；所述若干第一功率芯片1并聯分布在所述第一功率導電面12上，所述若干第一功率芯片1的源極焊盤與所述第二功率導電面14連接；所述若干第二功率芯片5并聯分布在所述第二功率導電面14上，所述若干第二功率芯片5與所述若干第一功率芯片1一一對應且沿碳化硅功率模塊的水平中心軸對稱分布，所述若干第二功率芯片5的源極焊盤與所述第三功率導電面13連接；所述若干第一功率端子6分布在所述第一功率導電面12上且分布在所述若干第一功率芯片1的兩側；所述若干第二功率端子8分布在所述第二功率導電面14上且分布在所述若干第二功率芯片5的兩側，與所述若干第一功率端子6一一對應地平行排列；所述若干第三功率端子7分布在所述第三功率導電面13上，與所述若干第一功率端子6一一對應地平行排列且彼此靠近。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學，其通訊地址為：710071 陜西省西安市太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。