恭喜深圳市貝特瑞納米科技有限公司劉國學(xué)獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳市貝特瑞納米科技有限公司申請的專利正極材料前驅(qū)體、單晶正極材料及制備方法、鋰離子電池獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN117457890B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202311331910.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01M4/505;該發(fā)明授權(quán)正極材料前驅(qū)體、單晶正極材料及制備方法、鋰離子電池是由劉國學(xué);萬基平;鄭玉;饒響響;吳小珍;楊順毅;黃友元設(shè)計研發(fā)完成,并于2023-10-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本正極材料前驅(qū)體、單晶正極材料及制備方法、鋰離子電池在說明書摘要公布了:本申請涉及正極材料前驅(qū)體、單晶正極材料及制備方法、鋰離子電池,單晶正極材料的化學(xué)通式為LixNiaCobMncNdO2,其中,0.98≤x≤1.1,0.50≤a≤0.98,0<b≤0.20,0<c≤0.30,0≤d≤0.10,a+b+c+d=1,N包括Al、Ti、Zr、Mg、Sr、Ba、Ca、Nb、W、Sb、Ta、Sn和Y中的至少一種;在用掃描電子顯微鏡觀察單晶正極材料的情況下,在3K放大倍數(shù)下,對單晶正極材料隨機(jī)選取10個點(diǎn)進(jìn)行EDS點(diǎn)掃描測試Ni、Co、Mn含量,在單晶正極材料的EDS譜圖結(jié)果中,單晶正極材料中Ni、Co和Mn每種元素的質(zhì)量含量的標(biāo)準(zhǔn)差均≤0.03;單晶正極材料的晶格應(yīng)變?yōu)棣牛姚牛?.2%。本申請?zhí)峁┑膯尉д龢O材料,其晶格應(yīng)變低,能夠降低鋰離子在微晶之間的擴(kuò)散能壘,使得材料表現(xiàn)出較低的DCR,倍率性能好;還能抑制微裂紋的產(chǎn)生,提升材料的循環(huán)性能。
本發(fā)明授權(quán)正極材料前驅(qū)體、單晶正極材料及制備方法、鋰離子電池在權(quán)利要求書中公布了:1.一種單晶正極材料,其特征在于,所述單晶正極材料的化學(xué)通式為LixNiaCobMncNdO2,其中,0.98≤x≤1.1,0.50≤a≤0.98,0<b≤0.20,0<c≤0.30,0≤d≤0.10,a+b+c+d=1,N包括Al、Ti、Zr、Mg、Sr、Ba、Ca、Nb、W、Sb、Ta、Sn和Y中的至少一種;在用掃描電子顯微鏡觀察所述單晶正極材料的情況下,在3K放大倍數(shù)下,對所述單晶正極材料隨機(jī)選取10個點(diǎn)進(jìn)行EDS點(diǎn)掃描測試Ni、Co、Mn含量,在所述單晶正極材料的EDS譜圖結(jié)果中,所述單晶正極材料中Ni、Co和Mn每種元素的質(zhì)量含量的標(biāo)準(zhǔn)差均≤0.03;所述單晶正極材料的晶格應(yīng)變?yōu)棣牛?.11%≤ε<0.2%。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人深圳市貝特瑞納米科技有限公司,其通訊地址為:518106 廣東省深圳市光明新區(qū)公明街道西田社區(qū)高新技術(shù)工業(yè)園第1棟;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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