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龍圖騰網(wǎng)恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利多尺寸溝槽的制備方法、背照式圖像傳感器的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119050123B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411536894.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/18；該發(fā)明授權(quán)多尺寸溝槽的制備方法、背照式圖像傳感器的制備方法是由陳興設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-10-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本多尺寸溝槽的制備方法、背照式圖像傳感器的制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種多尺寸溝槽的制備方法、背照式圖像傳感器的制備方法。該方法包括：提供基底，基底內(nèi)具有第一溝槽和第二溝槽，第一溝槽的寬度小于第二溝槽；在基底上方沉積氧化層，氧化層包括：填充第一溝槽的填充區(qū)，以及覆蓋第二溝槽側(cè)壁和底部的凹槽區(qū)；利用各向同性刻蝕工藝去除凹槽區(qū)并保留部分填充區(qū)；沉積隔離層以覆蓋部分填充區(qū)和第二溝槽；利用傾角等離子體刻蝕工藝去除部分填充區(qū)上的隔離層并保留第二溝槽上的隔離層；刻蝕去除部分填充區(qū)，使得第一溝槽底部裸露；利用各向異性刻蝕工藝去除第一溝槽底部裸露的基底，使得第一溝槽的深度大于第二溝槽。通過本申請的方案，無需使用第二張光罩即可加深指定溝槽，進而降低了產(chǎn)品制備成本。

本發(fā)明授權(quán)多尺寸溝槽的制備方法、背照式圖像傳感器的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于制備多尺寸溝槽的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底內(nèi)具有第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽的寬度小于所述第二溝槽；在所述基底上方沉積氧化層，所述氧化層包括：填充所述第一溝槽的填充區(qū)，以及覆蓋所述第二溝槽側(cè)壁和底部的凹槽區(qū)；利用各向同性刻蝕工藝去除所述凹槽區(qū)并保留部分填充區(qū)；沉積隔離層以覆蓋所述部分填充區(qū)和所述第二溝槽；利用傾角等離子體刻蝕工藝去除所述部分填充區(qū)上的隔離層并保留所述第二溝槽上的隔離層；刻蝕去除所述部分填充區(qū)，使得第一溝槽底部裸露；利用各向異性刻蝕工藝去除所述第一溝槽底部裸露的基底，使得所述第一溝槽的深度大于所述第二溝槽。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十三街29號院一區(qū)2號樓13層1302-C54；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。