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龍圖騰網恭喜寧波芯健半導體有限公司申請的專利多結構凸點的晶圓級封裝方法、系統、終端及存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119069369B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411578336.6，技術領域涉及：H01L21/60；該發明授權多結構凸點的晶圓級封裝方法、系統、終端及存儲介質是由彭祎;方梁洪;任超設計研發完成，并于2024-11-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本多結構凸點的晶圓級封裝方法、系統、終端及存儲介質在說明書摘要公布了：本申請涉及一種多結構凸點的晶圓級封裝方法、系統、智能終端及存儲介質，涉及芯片封裝技術領域，其方法包括：在集成電路晶圓的介電層上濺射形成TiCu層；在TiCu層上方涂覆第一厚度的第一光刻膠層，第一厚度與第一凸點的高度匹配；在第一光刻膠層上形成第一凸點的圖形；在集成電路晶圓上形成第一凸點；去除第一光刻膠層；在TiCu層上方涂覆第二厚度的第二光刻膠層，第二凸點的結構與第一凸點的結構不同；在第二光刻膠層上形成第二凸點的圖形；在集成電路晶圓上形成第二凸點；去除第二光刻膠層和TiCu層，露出第一凸點和第二凸點；對集成電路晶圓進行回流，得到封裝后的集成電路晶圓。本申請具有在晶圓級封裝的集成電路晶圓上形成多種結構的電極凸點的效果。

本發明授權多結構凸點的晶圓級封裝方法、系統、終端及存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種多結構凸點的晶圓級封裝方法，其特征在于，所述方法包括：在集成電路晶圓的介電層上濺射形成TiCu層，所述TiCu層覆蓋所述集成電路晶圓的表面，所述TiCu層包括Ti層和Cu層，所述在集成電路晶圓的介電層上濺射形成TiCu層包括：在所述介電層上濺射形成所述Ti層，在所述Ti層上濺射形成所述Cu層，所述TiCu層用于作為種子層；在所述TiCu層上方涂覆第一厚度的第一光刻膠層，所述第一厚度與第一凸點的高度匹配；在所述第一光刻膠層上形成所述第一凸點的圖形；在所述集成電路晶圓上形成所述第一凸點；去除所述第一光刻膠層；在所述TiCu層上濺射形成Cu層；在所述TiCu層上方涂覆第二厚度的第二光刻膠層，所述第二厚度與第二凸點的高度匹配，所述第二光刻膠層的厚度大于所述第一凸點的高度，所述第二凸點的高度大于所述第一凸點的高度，所述第二凸點的結構與所述第一凸點的結構不同；在所述第二光刻膠層上形成所述第二凸點的圖形；在所述第一凸點和所述第二凸點的高度差值小于臨界高度差值的情況下，獲取所述第二凸點的圖形的實際邊界線；根據所述實際邊界線和預設的有效距離，形成刻蝕區域，所述刻蝕區域的邊界到所述實際邊界線的最短距離不小于所述有效距離，所述刻蝕區域包圍所述第二凸點的圖形；根據所述第二光刻膠層的實際厚度和推薦厚度的差值，設置刻蝕深度；按照所述刻蝕深度，對所述刻蝕區域進行離子束刻蝕；在所述集成電路晶圓上形成所述第二凸點；去除所述第二光刻膠層和所述TiCu層，露出所述第一凸點和第二凸點；對所述集成電路晶圓進行回流，得到封裝后的集成電路晶圓。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人寧波芯健半導體有限公司，其通訊地址為：315000 浙江省寧波市寧波杭州灣新區庵東工業園區華興地塊中橫路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。