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龍圖騰網恭喜北京懷柔實驗室申請的專利功率子模組及具有其的功率模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119153458B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411603332.9，技術領域涉及：H01L25/18；該發明授權功率子模組及具有其的功率模塊是由李學寶;趙志斌;孫鵬;崔翔;李浩;趙波;趙斌設計研發完成，并于2024-11-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本功率子模組及具有其的功率模塊在說明書摘要公布了：本發明提供了一種功率子模組及具有其的功率模塊，該功率子模組包括：上半橋單元，包括上基板、多個并聯的上MOSFET芯片、上串聯二極管以及多個并聯的上二極管芯片，上MOSFET芯片的數量為偶數，且兩個上MOSFET芯片為一個上MOSFET芯片組，兩個上MOSFET芯片組之間設置有一個上串聯二極管；下半橋單元，包括下基板、多個并聯的下MOSFET芯片、下串聯二極管以及多個并聯的下二極管芯片，下MOSFET芯片的數量為偶數，且兩個下MOSFET芯片為一個下MOSFET芯片組，兩個下MOSFET芯片組之間設置有一個下串聯二極管。通過本申請提供的技術方案，能夠解決相關技術中的功率模塊的寄生電感較大，限制了碳化硅器件在高壓領域的應用的問題。

本發明授權功率子模組及具有其的功率模塊在權利要求書中公布了：1.一種功率子模組，其特征在于，所述功率子模組包括：上半橋單元（7），包括上基板（21）、多個并聯的上MOSFET芯片（11）、上串聯二極管（10）以及多個并聯的上二極管芯片（13），所述上MOSFET芯片（11）的數量為偶數，且兩個所述上MOSFET芯片（11）為一個上MOSFET芯片組，兩個所述上MOSFET芯片組之間設置有一個所述上串聯二極管（10），所述上MOSFET芯片（11）的漏極與所述上基板（21）的第一上漏極導電層（19）連接，所述上MOSFET芯片（11）的功率源極與所述上二極管芯片（13）的陽極連接，所述上串聯二極管（10）的陰極與所述第一上漏極導電層（19）連接，所述上串聯二極管（10）的陽極與所述上基板（21）的第二上漏極導電層（18）連接，所述上二極管芯片（13）的陰極與所述第二上漏極導電層（18）連接，所述上二極管芯片（13）的陽極與所述上基板（21）的上功率源極導電層（15）連接；下半橋單元（6），包括下基板（46）、多個并聯的下MOSFET芯片（42）、下串聯二極管（32）以及多個并聯的下二極管芯片（44），所述下MOSFET芯片（42）的數量為偶數，且兩個所述下MOSFET芯片（42）為一個下MOSFET芯片組，兩個所述下MOSFET芯片組之間設置有一個所述下串聯二極管（32），所述下MOSFET芯片（42）的漏極與所述下基板（46）的第一下漏極導電層（43）連接，所述下MOSFET芯片（42）的功率源極與所述下二極管芯片（44）的陽極連接，所述下串聯二極管（32）的陰極與所述第一下漏極導電層（43）連接，所述下串聯二極管（32）的陽極與所述下基板（46）的第二下漏極導電層（45）連接，所述下二極管芯片（44）的陰極與所述第二下漏極導電層（45）連接，所述下二極管芯片（44）的陽極與所述下基板（46）的下功率源極導電層（49）連接，所述上功率源極導電層（15）與所述第二下漏極導電層（45）連接；所述上半橋單元（7）還包括上漏極功率端子（16），所述上漏極功率端子（16）與所述第二上漏極導電層（18）連接；所述下半橋單元（6）還包括第一下輸出功率端子（28）、第二下輸出功率端子（47）以及下功率源極功率端子（48），所述下功率源極功率端子（48）與所述下功率源極導電層（49）連接，所述第一下輸出功率端子（28）和所述第二下輸出功率端子（47）分別與所述第二下漏極導電層（45）連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區楊雁東一路8號院5號樓319室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。