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龍圖騰網恭喜合肥新晶集成電路有限公司申請的專利半導體測試結構及其制備方法、測試器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119208297B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411662280.2，技術領域涉及：H01L23/544；該發明授權半導體測試結構及其制備方法、測試器件是由王文智;張國偉;王建智設計研發完成，并于2024-11-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體測試結構及其制備方法、測試器件在說明書摘要公布了：本公開涉及一種半導體測試結構及其制備方法、測試器件，涉及集成電路技術領域，半導體測試結構包括襯底、源極測試插塞及漏極測試插塞；襯底的N阱區內包括間隔排布的至少兩個P型摻雜區；相鄰兩個P型摻雜區之間N阱區頂面包括柵極；相鄰兩個P型摻雜區中，一P型摻雜區與源極測試插塞電連接，另一P型摻雜區與漏極測試插塞電連接；其中，源極測試插塞、漏極測試插塞用于獲取電子束檢測電壓對比圖，電壓對比圖包括用于指示是否存在缺陷的明電壓對比及或暗電壓對比。至少能夠利用電子束檢測電壓對比圖及時簡便地檢測出NMOS晶體管是否存在斷路缺陷。

本發明授權半導體測試結構及其制備方法、測試器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體測試結構，其特征在于，至少用于測試對應的NMOS晶體管是否存在斷路缺陷，所述半導體測試結構包括襯底、源極測試插塞、漏極測試插塞及柵極測試插塞；所述襯底的N阱區內包括間隔排布的至少兩個P型摻雜區；所述P型摻雜區與所述N阱區用于形成PN結；相鄰兩個P型摻雜區之間N阱區頂面包括柵極；所述柵極包括直接接觸所述N阱區頂面的柵導電層；所述相鄰兩個P型摻雜區中，一P型摻雜區與所述源極測試插塞電連接，另一P型摻雜區與所述漏極測試插塞電連接；所述柵導電層位于所述柵極測試插塞、所述N阱區頂面之間；其中，所述源極測試插塞、所述漏極測試插塞用于在積極檢測模式下，獲取電子束檢測電壓對比圖，所述電壓對比圖包括用于指示是否存在缺陷的明電壓對比及或暗電壓對比，所述明電壓對比為用于指示不存在斷路缺陷的亮點，所述暗電壓對比為用于指示存在斷路缺陷的暗點或黑點；所述積極檢測模式下的電子束能量小于2KeV，用于使得二次電子經由導通的所述PN結輸出。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥新晶集成電路有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。