買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州大學(xué)申請(qǐng)的專利一種Micro-LED陣列及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119208491B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411720429.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/84；該發(fā)明授權(quán)一種Micro-LED陣列及其制備方法是由孫倜;張同友;許峰;曹冰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-11-28向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種Micro-LED陣列及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于Micro?LED微納光學(xué)光場調(diào)控及Micro?LED制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種Micro?LED陣列及其制備方法；包括Micro?LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)陣列、第二N型GaN層和一維光子晶體層；第二N型GaN層連續(xù)設(shè)置在Micro?LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)陣列上表面所在平面；一維光子晶體層設(shè)置在第二N型GaN層上表面，包括層疊設(shè)置的折射率不同的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層。本申請(qǐng)利用第二N型GaN層提供平整表面，生長高質(zhì)量的一維光子晶體層，利用一維光子晶體層高效透過小角度入射光線并強(qiáng)反射大角度入射的光線，有效減小了陣列結(jié)構(gòu)間的光串?dāng)_，極大提升了Micro?LED的發(fā)光準(zhǔn)直性。

本發(fā)明授權(quán)一種Micro-LED陣列及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種Micro-LED陣列，其特征在于，包括：Micro-LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)陣列，包括呈陣列排布的多個(gè)Micro-LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)，每個(gè)Micro-LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)包括自上至下依次層疊設(shè)置的第一N型GaN層、量子阱發(fā)光層、P型GaN層和ITO層；第二N型GaN層，連續(xù)設(shè)置在Micro-LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)陣列上表面所在平面，以使多個(gè)Micro-LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)共用所述第二N型GaN層；所述第二N型GaN層的厚度為0.1μm~1.5μm；一維光子晶體層，連續(xù)設(shè)置在所述第二N型GaN層遠(yuǎn)離所述Micro-LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)陣列一側(cè)表面，包括至少一個(gè)光子晶體結(jié)構(gòu)，所述光子晶體結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的折射率不同的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層；N電極，與所述第二N型GaN層相接觸；其中，Micro-LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)為倒圓臺(tái)，其靠近第二N型GaN層一側(cè)表面的直徑小于相鄰Micro-LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)之間的橫向距離和縱向距離；或，Micro-LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)為倒四棱臺(tái)，其靠近第二N型GaN層一側(cè)表面的長度小于相鄰Micro-LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)之間的橫向距離，其靠近第二N型GaN層一側(cè)表面的寬度小于相鄰Micro-LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)之間的縱向距離。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人蘇州大學(xué)，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市吳江區(qū)久泳西路1號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。