恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司林政賢獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利圖像傳感器及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112018134B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911271896.6，技術領域涉及：H10F39/12；該發明授權圖像傳感器及其形成方法是由林政賢;蔡紓婷;許慈軒設計研發完成，并于2019-12-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本圖像傳感器及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開的各種實施例涉及圖像傳感器。圖像傳感器包含安置在半導體襯底中的光電檢測器。層間介電結構安置在半導體襯底的第一側上。存儲節點安置在半導體襯底中且與光電檢測器間隔開，其中存儲節點與第一側間隔開第一距離。第一隔離結構安置在半導體襯底中且位于光電檢測器與存儲節點之間，其中第一隔離結構從半導體襯底的與第一側相對的第二側延伸到半導體襯底中，且其中第一隔離結構與第一側間隔開小于第一距離的第二距離。
本發明授權圖像傳感器及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種圖像傳感器，包括：光電檢測器，安置在半導體襯底中；層間介電結構，安置在所述半導體襯底的第一側上；存儲節點，安置在所述半導體襯底中且與所述光電檢測器間隔開，其中所述存儲節點與所述第一側間隔開第一距離；第一隔離結構，安置在所述半導體襯底中且位于所述光電檢測器與所述存儲節點之間，其中所述第一隔離結構從所述半導體襯底的與所述第一側相對的第二側延伸到所述半導體襯底中，且其中所述第一隔離結構與所述第一側間隔開小于所述第一距離的第二距離；以及摻雜隔離區域，安置在所述半導體襯底中且在所述第一隔離結構的一側延伸于所述存儲節點與所述第一側之間，其中所述摻雜隔離區域與所述第一側間隔開，且其中所述摻雜隔離區域具有與所述存儲節點相反的摻雜類型。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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