恭喜上海集成電路制造創新中心有限公司;復旦大學朱小娜獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海集成電路制造創新中心有限公司;復旦大學申請的專利一種CFET的門電路器件結構與工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119208330B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411732504.2，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權一種CFET的門電路器件結構與工藝是由朱小娜;湯培順;朱馳昂設計研發完成，并于2024-11-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種CFET的門電路器件結構與工藝在說明書摘要公布了：本發明公開了一種CFET的門電路器件結構與工藝，涉及半導體技術領域，包括襯底，所述襯底的頂部通過絕緣層包裹有并聯連接的N溝道場效應管和P溝道場效應管；N溝道場效應管與P溝道場效應管共用相同的源極S，N溝道場效應管與P溝道場效應管共用相同的漏極D；N溝道場效應管的柵極與P溝道場效應管的柵極互相分離，互相分離的柵極與柵極構成分離柵結構。本發明通過將原本平面的CMOS單元對折構成向上相互垂直堆疊的立體器件，同時采用介質隔離P型和N型場效應管器件的柵極構成分離柵結構，能夠節省CFET集成的平面面積、提高集成密度、縮小溝道進程以及提高芯片精度，有利于保持電路性能和電路設計的靈活性。
本發明授權一種CFET的門電路器件結構與工藝在權利要求書中公布了：1.一種CFET的門電路器件工藝，其特征在于，包括如下步驟：制造襯底；對襯底實施SOI工藝并制造SOI晶體硅襯底；在SOI晶體硅襯底的頂部采用化學氣相沉積各向同性地沉積薄層制作掩模版；蝕刻絕緣層并在掩模版下方形成硅鰭片和淺溝槽；向絕緣層內與淺溝槽隔離氧化物的部位內預埋金屬線結構，制成埋入式電源軌BPR；制造虛擬柵和內部間隔；在絕緣層上依次生長底層外延層、底層接觸層、頂層外延層和頂層接觸層；重制金屬分離柵結構來隔絕柵極信號，通過接觸互連線，分別引出柵極信號；采用化學機械平坦化CMP技術對絕緣層、底層外延層、底層接觸層、頂層外延層和頂層接觸層打磨拋光。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海集成電路制造創新中心有限公司;復旦大學，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區丹桂路999弄13號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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