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龍圖騰網恭喜成都芯金邦科技有限公司申請的專利芯片封裝打線接合補償方法和結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119208167B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411733182.3，技術領域涉及：H01L21/60；該發明授權芯片封裝打線接合補償方法和結構是由余志新;楊志忠設計研發完成，并于2024-11-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本芯片封裝打線接合補償方法和結構在說明書摘要公布了：本發明提供了一種芯片封裝打線接合補償方法和結構，設計芯片封裝技術領域，打線接合包括采用鍵合線在芯片與封裝基板之間建立電氣連接，方法包括：對芯片封裝打線接合形成的信號鏈路進行分節，將劃分的每節信號鏈路定義為子信號鏈路；獲取信號鏈路的特性阻抗；測量打線接合位置所在子信號鏈路的電感值；設置補償電容器，對打線接合造成的電感效應進行補償；其中，根據每個子信號鏈路的阻抗值與特性阻抗相等的設計原則，利用打線接合位置所在子信號鏈路的電感值計算打線接合位置所在子信號鏈路所需的補償電容值。本發明利用補償電容器來補償打線接合產生的電感效應，從而提高信號完整性和系統的穩定性，同時提升系統性能。

本發明授權芯片封裝打線接合補償方法和結構在權利要求書中公布了：1.一種芯片封裝打線接合補償方法，所述打線接合包括采用鍵合線在芯片與封裝基板之間建立電氣連接，其特征在于，包括：對芯片封裝打線接合形成的信號鏈路進行分節，將劃分的每節信號鏈路定義為子信號鏈路，每個子信號鏈路的長度相等；獲取信號鏈路的特性阻抗；測量打線接合位置所在子信號鏈路的電感值；設置補償電容器，對打線接合造成的電感效應進行補償；其中，根據每個子信號鏈路的阻抗值與特性阻抗相等的設計原則，利用打線接合位置所在子信號鏈路的電感值計算打線接合位置所在子信號鏈路所需的補償電容值，在打線接合位置設置與所述補償電容值大小相等的補償電容器；所述封裝基板包括第一連接層和第二連接層，所述芯片通過鍵合線與第一連接層上的金屬線路相連，所述第二連接層與第一連接層之間存在間隙；所述設置補償電容器，包括：在第二連接層與第一連接層上打線接合位置的對應位置設置金屬片，所述金屬片與第一連接層上打線接合位置的金屬線路之間構成補償電容器；所述金屬片完全布置于第二連接層上與打線接合位置所在的子信號鏈路相對的區間內。

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