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龍圖騰網(wǎng)恭喜成都芯金邦科技有限公司申請的專利芯片封裝打線接合補償方法和結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119208167B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411733182.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/60；該發(fā)明授權(quán)芯片封裝打線接合補償方法和結(jié)構(gòu)是由余志新;楊志忠設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-11-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本芯片封裝打線接合補償方法和結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種芯片封裝打線接合補償方法和結(jié)構(gòu)，設(shè)計芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，打線接合包括采用鍵合線在芯片與封裝基板之間建立電氣連接，方法包括：對芯片封裝打線接合形成的信號鏈路進行分節(jié)，將劃分的每節(jié)信號鏈路定義為子信號鏈路；獲取信號鏈路的特性阻抗；測量打線接合位置所在子信號鏈路的電感值；設(shè)置補償電容器，對打線接合造成的電感效應(yīng)進行補償；其中，根據(jù)每個子信號鏈路的阻抗值與特性阻抗相等的設(shè)計原則，利用打線接合位置所在子信號鏈路的電感值計算打線接合位置所在子信號鏈路所需的補償電容值。本發(fā)明利用補償電容器來補償打線接合產(chǎn)生的電感效應(yīng)，從而提高信號完整性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性，同時提升系統(tǒng)性能。

本發(fā)明授權(quán)芯片封裝打線接合補償方法和結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種芯片封裝打線接合補償方法，所述打線接合包括采用鍵合線在芯片與封裝基板之間建立電氣連接，其特征在于，包括：對芯片封裝打線接合形成的信號鏈路進行分節(jié)，將劃分的每節(jié)信號鏈路定義為子信號鏈路，每個子信號鏈路的長度相等；獲取信號鏈路的特性阻抗；測量打線接合位置所在子信號鏈路的電感值；設(shè)置補償電容器，對打線接合造成的電感效應(yīng)進行補償；其中，根據(jù)每個子信號鏈路的阻抗值與特性阻抗相等的設(shè)計原則，利用打線接合位置所在子信號鏈路的電感值計算打線接合位置所在子信號鏈路所需的補償電容值，在打線接合位置設(shè)置與所述補償電容值大小相等的補償電容器；所述封裝基板包括第一連接層和第二連接層，所述芯片通過鍵合線與第一連接層上的金屬線路相連，所述第二連接層與第一連接層之間存在間隙；所述設(shè)置補償電容器，包括：在第二連接層與第一連接層上打線接合位置的對應(yīng)位置設(shè)置金屬片，所述金屬片與第一連接層上打線接合位置的金屬線路之間構(gòu)成補償電容器；所述金屬片完全布置于第二連接層上與打線接合位置所在的子信號鏈路相對的區(qū)間內(nèi)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人成都芯金邦科技有限公司，其通訊地址為：611700 四川省成都市高新區(qū)安泰七路66號3棟1層1號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。