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龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體器件、制備方法、讀寫方法及存儲器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119233635B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411759870.7，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體器件、制備方法、讀寫方法及存儲器是由周成設計研發完成，并于2024-12-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件、制備方法、讀寫方法及存儲器在說明書摘要公布了：本公開提供了一種半導體器件、制備方法、讀寫方法及存儲器，該半導體器件包括：襯底、有源柱、存儲單元以及柵極字線結構。其中，有源柱設置于襯底上，且有源柱沿著遠離襯底的第一方向延伸。存儲單元有多個，多個存儲單元沿著第一方向并列設置，且存儲單元耦合于有源柱的側壁。柵極字線結構有多個，多個柵極字線結構沿著第一方向并列且間隔設置并用于控制有源柱中溝道的通斷，且相鄰的兩個柵極字線結構之間均設置有存儲單元。該半導體器件能夠規避平面器件所受到的尺寸微縮的問題，從而顯著提高該器件的存儲密度。

本發明授權半導體器件、制備方法、讀寫方法及存儲器在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括：襯底；有源柱，所述有源柱設置于所述襯底上，且所述有源柱沿著遠離所述襯底的第一方向延伸；存儲單元，所述存儲單元有多個，多個所述存儲單元沿著所述第一方向并列設置，且所述存儲單元耦合于所述有源柱的側壁；以及，柵極字線結構，所述柵極字線結構有多個，多個所述柵極字線結構沿著所述第一方向并列且間隔設置并用于控制所述有源柱中溝道的通斷，且所述第一方向上相鄰的兩個所述柵極字線結構之間均設置有所述存儲單元；所述存儲單元環繞所述有源柱設置，所述柵極字線結構環繞所述有源柱設置；所述有源柱有多個，多個所述有源柱沿著與所述第一方向相交的第二方向并列且間隔設置，各所述柵極字線結構也沿著所述第二方向延伸，且所述柵極字線結構用于控制在所述第二方向上并列設置的多個所述有源柱中溝道的通斷；所述半導體器件還包括公共電極，所述公共電極設置于相鄰兩個所述有源柱之間，且相鄰兩個所述有源柱上耦合的所述存儲單元均電連接于所述公共電極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。