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龍圖騰網恭喜四川泊微科技有限公司申請的專利射頻SoC芯片用開關、SoC芯片和溫補控制方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119232129B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411764682.3，技術領域涉及：H03K17/687；該發明授權射頻SoC芯片用開關、SoC芯片和溫補控制方法是由杜易聰設計研發完成，并于2024-12-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本射頻SoC芯片用開關、SoC芯片和溫補控制方法在說明書摘要公布了：本發明公開了射頻SoC芯片用開關、SoC芯片和溫補控制方法，開關包括分別與第一端口連接的第一串聯支路和第二串聯支路，所述第一串聯支路和第二串聯支路均包括串聯設置于對應串聯支路上的四分之一波長線和并聯接地MOS管；所述四分之一波長線上并聯有至少一個溫補移相單元。本發明通過將溫補移相單元和開關架構相結合的方式，在不占用更多空間的同時，用簡單的電壓控制，實現了可對整個SoC芯片的相位調節。在不占用多余版圖空間的情況下，多功能SoC芯片的相位調節手段更方便快捷，當確定高低溫所需補償的裕量后就能直接固定控制溫補移相單元的開關權重；并且，此技術不受工藝限制，可進行平行移植，能更廣泛的應用于各個頻段。

本發明授權射頻SoC芯片用開關、SoC芯片和溫補控制方法在權利要求書中公布了：1.射頻SoC芯片用開關，其特征在于：包括分別與第一端口連接的第一串聯支路和第二串聯支路，所述第一串聯支路和第二串聯支路均包括串聯設置于對應串聯支路上的四分之一波長線和并聯接地MOS管；所述四分之一波長線等效于多段串聯的等效電感，在等效電感之間并聯溫補移相單元；所述溫補移相單元包括串聯且接地的溫補電容和溫補MOS管，溫補MOS管的柵極接入外部控制信號；其中：所述溫補電容的一端接入四分之一波長線，溫補電容的另一端與溫補MOS管的源極連接，溫補MOS管的柵極接地；或者：所述溫補電容的一端接入四分之一波長線，溫補電容的另一端與溫補MOS管的漏極連接，溫補MOS管的源極接地；或者：所述溫補電容的一端接入接地，溫補電容的另一端與溫補MOS管的源極連接，溫補MOS管的漏極接入四分之一波長線；或者：所述溫補電容的一端接入接地，溫補電容的另一端與溫補MOS管的漏極連接，溫補MOS管的源極接入四分之一波長線。

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