恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司李明龍獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利圖像傳感器及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN119300498B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202411785057.7,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10F39/12;該發(fā)明授權(quán)圖像傳感器及其制造方法是由李明龍;宋明明;謝榮源設(shè)計研發(fā)完成,并于2024-12-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本圖像傳感器及其制造方法在說明書摘要公布了:本申請涉及一種圖像傳感器及其制造方法,包括:提供半導(dǎo)體基底,所述半導(dǎo)體基底上形成有外延層,所述外延層內(nèi)形成有多個相互間隔的凹槽,所述凹槽的側(cè)壁和底部覆蓋有第一介質(zhì)層,且所述第一介質(zhì)層延伸覆蓋所述凹槽兩側(cè)的所述外延層;去除部分所述第一介質(zhì)層,以暴露部分所述外延層,所述外延層的暴露部分包括相鄰所述凹槽之間的所述外延層以及所述凹槽內(nèi)遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體基底一側(cè)的至少部分側(cè)壁;于所述外延層的暴露部分形成柵格結(jié)構(gòu)。本申請減少或避免了后續(xù)形成的像素之間的光串?dāng)_問題,同時縮短了入射光程,減少了光損失,從而提升了圖像傳感器的像素信噪比。
本發(fā)明授權(quán)圖像傳感器及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種圖像傳感器的制造方法,其特征在于,包括:提供半導(dǎo)體基底,所述半導(dǎo)體基底上形成有外延層,所述外延層內(nèi)形成有多個相互間隔的凹槽,所述凹槽的側(cè)壁和底部覆蓋有第一介質(zhì)層,且所述第一介質(zhì)層延伸覆蓋所述凹槽兩側(cè)的所述外延層;去除部分所述第一介質(zhì)層,以暴露部分所述外延層,所述外延層的暴露部分包括相鄰所述凹槽之間的所述外延層以及所述凹槽內(nèi)遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體基底一側(cè)的至少部分側(cè)壁;于所述外延層的暴露部分形成柵格結(jié)構(gòu);其中,所述于所述外延層的暴露部分形成柵格結(jié)構(gòu)的步驟包括:于所述外延層的暴露部分和所述第一介質(zhì)層上形成金屬材料層;對所述金屬材料層進(jìn)行退火工藝,于所述金屬材料層與所述外延層的接觸部分形成金屬反應(yīng)層;對所述金屬材料層進(jìn)行刻蝕處理,使所述金屬反應(yīng)層暴露并形成所述柵格結(jié)構(gòu)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人合肥晶合集成電路股份有限公司,其通訊地址為:230012 安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內(nèi)西淝河路88號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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