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龍圖騰網恭喜蘇州長光華芯光電技術股份有限公司;蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司申請的專利半導體激光器材料的校驗方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119315373B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411832991.X，技術領域涉及：H01S5/00；該發明授權半導體激光器材料的校驗方法是由詹文博;程洋;王俊;趙武;朱澤群;閔大勇設計研發完成，并于2024-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體激光器材料的校驗方法在說明書摘要公布了：本申請公開了半導體激光器材料的校驗方法，包括：生長校驗結構，校驗結構包括從下至上依次設置的襯底層、第一晶格匹配層、InGaAsInAlAs超晶格、第二晶格匹配層、InyAl1?yAs層、第三晶格匹配層和InxGa1?xAs層；進行XRD表征，得到XRD衍射譜，對InGaAsInAlAs超晶格的組分和生長速率進行計算。本申請公開的半導體激光器材料的校驗方法，能夠通過一次校驗結構的生長，同時實現InGaAs和InAlAs材料組分和生長速率的校驗，縮減了校驗生長的次數，提高了校驗效率，降低校驗成本，保障生產質量；能夠排除不同次生長之間存在的生長速率的波動，提升校驗的一致性，提升校驗精確度。

本發明授權半導體激光器材料的校驗方法在權利要求書中公布了：1.半導體激光器材料的校驗方法，其特征在于，包括：生長校驗結構，所述校驗結構包括從下至上依次設置的襯底層、第一晶格匹配層、InGaAsInAlAs超晶格、第二晶格匹配層、InyAl1-yAs層、第三晶格匹配層和InxGa1-xAs層，其中InGaAsInAlAs超晶格中InGaAs和InAlAs的組分分別與InxGa1-xAs層和InyAl1-yAs層相同；進行XRD表征，得到XRD衍射譜，根據InxGa1-xAs層和InyAl1-yAs層的XRD衍射峰確定實際的x和y，以及InxGa1-xAs層的實際晶格失配度ε1和InyAl1-yAs層的實際晶格失配度ε2；根據InGaAsInAlAs超晶格的0級衍射峰峰位獲得InGaAsInAlAs超晶格的整體晶格失配度εtotal，根據超晶格衍射峰的峰間距獲得InGaAsInAlAs超晶格的周期厚度ttotal；計算InGaAsInAlAs超晶格中InGaAs的層厚t1和InAlAs的層厚t2；結合實際生長的時間計算InGaAsInAlAs超晶格中InGaAs的生長速率r1和InAlAs的生長速率r2。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州長光華芯光電技術股份有限公司;蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市高新區漓江路56號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。