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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司;蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司申請的專利半導(dǎo)體激光器材料的校驗方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119315373B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411832991.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/00；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體激光器材料的校驗方法是由詹文博;程洋;王俊;趙武;朱澤群;閔大勇設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-12-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體激光器材料的校驗方法在說明書摘要公布了：本申請公開了半導(dǎo)體激光器材料的校驗方法，包括：生長校驗結(jié)構(gòu)，校驗結(jié)構(gòu)包括從下至上依次設(shè)置的襯底層、第一晶格匹配層、InGaAsInAlAs超晶格、第二晶格匹配層、InyAl1?yAs層、第三晶格匹配層和InxGa1?xAs層；進(jìn)行XRD表征，得到XRD衍射譜，對InGaAsInAlAs超晶格的組分和生長速率進(jìn)行計算。本申請公開的半導(dǎo)體激光器材料的校驗方法，能夠通過一次校驗結(jié)構(gòu)的生長，同時實現(xiàn)InGaAs和InAlAs材料組分和生長速率的校驗，縮減了校驗生長的次數(shù)，提高了校驗效率，降低校驗成本，保障生產(chǎn)質(zhì)量；能夠排除不同次生長之間存在的生長速率的波動，提升校驗的一致性，提升校驗精確度。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體激光器材料的校驗方法在權(quán)利要求書中公布了：1.半導(dǎo)體激光器材料的校驗方法，其特征在于，包括：生長校驗結(jié)構(gòu)，所述校驗結(jié)構(gòu)包括從下至上依次設(shè)置的襯底層、第一晶格匹配層、InGaAsInAlAs超晶格、第二晶格匹配層、InyAl1-yAs層、第三晶格匹配層和InxGa1-xAs層，其中InGaAsInAlAs超晶格中InGaAs和InAlAs的組分分別與InxGa1-xAs層和InyAl1-yAs層相同；進(jìn)行XRD表征，得到XRD衍射譜，根據(jù)InxGa1-xAs層和InyAl1-yAs層的XRD衍射峰確定實際的x和y，以及InxGa1-xAs層的實際晶格失配度ε1和InyAl1-yAs層的實際晶格失配度ε2；根據(jù)InGaAsInAlAs超晶格的0級衍射峰峰位獲得InGaAsInAlAs超晶格的整體晶格失配度εtotal，根據(jù)超晶格衍射峰的峰間距獲得InGaAsInAlAs超晶格的周期厚度ttotal；計算InGaAsInAlAs超晶格中InGaAs的層厚t1和InAlAs的層厚t2；結(jié)合實際生長的時間計算InGaAsInAlAs超晶格中InGaAs的生長速率r1和InAlAs的生長速率r2。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司;蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)漓江路56號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。