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龍圖騰網獲悉西安交通大學申請的專利一種制備輻照后金屬微納力學樣品的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119309897B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411854693.0，技術領域涉及：G01N1/44；該發明授權一種制備輻照后金屬微納力學樣品的方法是由高瑞;王建強;盧晨陽;施坦;楊金學;趙珀;白得滹設計研發完成，并于2024-12-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種制備輻照后金屬微納力學樣品的方法在說明書摘要公布了：本發明屬于金屬材料制備技術領域，具體涉及一種制備輻照后金屬微納力學樣品的方法。包括以下步驟：提供一金屬塊體材料，對金屬塊體材料進行離子輻照，得到初始樣品；將初始樣品固定，對初始樣品確定晶粒取向和取向晶粒進行標記，制樣得到原始矩形薄片試樣；對原始矩形薄片試樣表面去除部分輻照層并進行修剪，得到相同晶粒取向下的輻照區和未輻照區，連續凹凸結構的垛口狀粗胚；進行減薄，得到微納力學樣品。本發明在輻照后金屬塊體樣品的同一晶粒內，獲得相同取向的輻照和未輻照單晶原位力學樣品，避免在多個樣品中尋找同一取向輻照區域與未輻照區域，減少在不同區域采集數據造成的分析誤差，從而實現高效率制備透射電鏡下單晶原位力學樣品。

本發明授權一種制備輻照后金屬微納力學樣品的方法在權利要求書中公布了：1.一種制備輻照后金屬微納力學樣品的方法，其特征在于，包括以下步驟：提供一金屬塊體材料，對所述金屬塊體材料進行離子輻照，得到初始樣品；將初始樣品固定，利用電子背散射衍射儀確定初始樣品的晶粒取向，并利用聚焦離子束電鏡對取向后的晶粒進行標記，晶粒標記后，對標記后的晶粒通過聚焦離子束進行制樣得到原始矩形薄片試樣；聚焦離子束進行制樣時，對標記的晶粒采用U型切挖坑的方式，其中，聚焦離子束的電壓為30kV，電流為9.9nA～22nA，U型切挖坑后，上坑的長為30μm～50μm，上坑的寬為12μm～15μm，上坑的高為10μm～15μm；下坑的長為30μm～50μm，下坑的寬為13μm～15μm，下坑的高為10μm～15μm；將銅網固定，且將銅網旋轉至銅網和聚焦離子束垂直，然后將原始矩形薄片試樣粘貼在銅網上，對原始矩形薄片試樣表面去除部分輻照層并進行修剪，得到相同晶粒取向下的輻照區和未輻照區，形成連續凹凸結構的垛口狀粗胚；對粗胚進行減薄，使垛口狀粗胚中的凸狀形成原位力學柱試樣，得到微納力學樣品。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安交通大學，其通訊地址為：710049 陜西省西安市咸寧西路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。