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龍圖騰網恭喜成都漢芯國科集成技術有限公司申請的專利晶圓級芯片TSV封裝結構及其封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119400774B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411978378.9，技術領域涉及：H01L23/532；該發明授權晶圓級芯片TSV封裝結構及其封裝方法是由劉松林;賴仕普;左小波;李坤;蔣本建設計研發完成，并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本晶圓級芯片TSV封裝結構及其封裝方法在說明書摘要公布了：本發明涉及晶圓級芯片TSV封裝結構及其封裝方法，屬于半導體制造技術領域，包括：依次連接的CPU模塊、硅中介層和基板，還包括第一硅通孔、金屬芯以及第一絕緣層，若干第一硅通孔開設于硅中介層，第一硅通孔的開口處開設有緩沖腔；金屬芯填充于第一硅通孔內，CPU模塊通過金屬芯與基板和硅中介層上蝕刻的電路電性連接；第一絕緣層填充于第一硅通孔與金屬芯之間不包括緩沖腔的一段，第一絕緣層具有熱塑性；其能解決現有技術中晶圓級芯片的TSV中填充的導電金屬熱膨脹后導致芯片損壞的技術問題。

本發明授權晶圓級芯片TSV封裝結構及其封裝方法在權利要求書中公布了：1.晶圓級芯片TSV封裝結構，包括依次連接的CPU模塊（2）、硅中介層（1）和基板（5），其特征在于，還包括：若干第一硅通孔（102），開設于所述硅中介層（1）上，所述第一硅通孔（102）的開口處開設有緩沖腔（209）；金屬芯（208），填充于所述第一硅通孔（102）內，所述CPU模塊（2）通過所述金屬芯（208）與所述基板（5）和所述硅中介層（1）上蝕刻的電路電性連接；第一絕緣層（207），填充于所述第一硅通孔（102）與所述金屬芯（208）之間不包括所述緩沖腔（209）的一段，所述第一絕緣層（207）具有熱塑性；所述CPU模塊（2）包括逐層連接的第一晶粒（204）、第二晶粒（203）、第三晶粒（202）以及第四晶粒（201），還包括：第二硅通孔（205），開設于所述第一晶粒（204）上、所述第二晶粒（203）上以及所述第三晶粒（202）上；邏輯單元（401），連接于所述第一晶粒（204）、所述第二晶粒（203）、所述第三晶粒（202）以及所述第四晶粒（201）；導線（4012），連接于所述邏輯單元（401）外側；若干引腳（4011），與所述第二硅通孔（205）或所述第一硅通孔（102）電性連接；邏輯導線（4013），連接于所述導線（4012）和所述引腳（4011）之間，所述邏輯導線（4013）基于本身物理性質和環境因素改變其本身導電性。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人成都漢芯國科集成技術有限公司，其通訊地址為：610000 四川省成都市高新區(西區)合作路89號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。