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龍圖騰網(wǎng)恭喜成都漢芯國科集成技術有限公司申請的專利晶圓級芯片TSV封裝結構及其封裝方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN119400774B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202411978378.9，技術領域涉及：H01L23/532；該發(fā)明授權晶圓級芯片TSV封裝結構及其封裝方法是由劉松林;賴仕普;左小波;李坤;蔣本建設計研發(fā)完成，并于2024-12-31向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本晶圓級芯片TSV封裝結構及其封裝方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及晶圓級芯片TSV封裝結構及其封裝方法，屬于半導體制造技術領域，包括：依次連接的CPU模塊、硅中介層和基板，還包括第一硅通孔、金屬芯以及第一絕緣層，若干第一硅通孔開設于硅中介層，第一硅通孔的開口處開設有緩沖腔；金屬芯填充于第一硅通孔內，CPU模塊通過金屬芯與基板和硅中介層上蝕刻的電路電性連接；第一絕緣層填充于第一硅通孔與金屬芯之間不包括緩沖腔的一段，第一絕緣層具有熱塑性；其能解決現(xiàn)有技術中晶圓級芯片的TSV中填充的導電金屬熱膨脹后導致芯片損壞的技術問題。

本發(fā)明授權晶圓級芯片TSV封裝結構及其封裝方法在權利要求書中公布了：1.晶圓級芯片TSV封裝結構，包括依次連接的CPU模塊（2）、硅中介層（1）和基板（5），其特征在于，還包括：若干第一硅通孔（102），開設于所述硅中介層（1）上，所述第一硅通孔（102）的開口處開設有緩沖腔（209）；金屬芯（208），填充于所述第一硅通孔（102）內，所述CPU模塊（2）通過所述金屬芯（208）與所述基板（5）和所述硅中介層（1）上蝕刻的電路電性連接；第一絕緣層（207），填充于所述第一硅通孔（102）與所述金屬芯（208）之間不包括所述緩沖腔（209）的一段，所述第一絕緣層（207）具有熱塑性；所述CPU模塊（2）包括逐層連接的第一晶粒（204）、第二晶粒（203）、第三晶粒（202）以及第四晶粒（201），還包括：第二硅通孔（205），開設于所述第一晶粒（204）上、所述第二晶粒（203）上以及所述第三晶粒（202）上；邏輯單元（401），連接于所述第一晶粒（204）、所述第二晶粒（203）、所述第三晶粒（202）以及所述第四晶粒（201）；導線（4012），連接于所述邏輯單元（401）外側；若干引腳（4011），與所述第二硅通孔（205）或所述第一硅通孔（102）電性連接；邏輯導線（4013），連接于所述導線（4012）和所述引腳（4011）之間，所述邏輯導線（4013）基于本身物理性質和環(huán)境因素改變其本身導電性。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人成都漢芯國科集成技術有限公司，其通訊地址為：610000 四川省成都市高新區(qū)(西區(qū))合作路89號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。