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龍圖騰網(wǎng)恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請(qǐng)的專利背照式圖像傳感器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119384059B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510001457.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/18；該發(fā)明授權(quán)背照式圖像傳感器及其制備方法是由陳興設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-01-02向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本背照式圖像傳感器及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)涉及一種背照式圖像傳感器及其制備方法，包括：提供襯底，襯底內(nèi)包括沿平行于襯底頂面的第一方向排布的第一區(qū)域、第二區(qū)域；基于同一光罩同時(shí)于第一區(qū)域內(nèi)形成用于隔離光電二極管的第一溝槽，并于第二區(qū)域內(nèi)形成用于隔離埋入式導(dǎo)線的第二溝槽；于第一溝槽內(nèi)填滿犧牲阻擋層后，形成覆蓋第二溝槽內(nèi)表面的保護(hù)層；去除第一溝槽內(nèi)犧牲阻擋層后，采用目標(biāo)氣體選擇性刻蝕并去除第一溝槽底部的部分襯底；去除保護(hù)層后，形成介電層，介電層覆蓋第二溝槽內(nèi)表面并填滿第一溝槽；于第二溝槽內(nèi)形成埋入式導(dǎo)線。本申請(qǐng)只需一張光罩，即可同時(shí)制作光電二極管之間的深隔離溝槽和金屬導(dǎo)線淺溝槽，從而節(jié)省光罩?jǐn)?shù)量和降低成本。

本發(fā)明授權(quán)背照式圖像傳感器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種背照式圖像傳感器制備方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)包括沿平行于所述襯底頂面的第一方向排布的第一區(qū)域、第二區(qū)域，所述第一區(qū)域內(nèi)用于形成多個(gè)光電二極管，所述第二區(qū)域內(nèi)用于形成多條埋入式導(dǎo)線；基于同一光罩同時(shí)于所述第一區(qū)域內(nèi)形成用于隔離光電二極管的第一溝槽，并于所述第二區(qū)域內(nèi)形成用于隔離埋入式導(dǎo)線的第二溝槽；采用第一次熱氧化工藝，于所述第一溝槽、所述第二溝槽內(nèi)表面形成預(yù)設(shè)厚度的犧牲氧化層；所述犧牲氧化層為氧化硅層；于所述第一溝槽內(nèi)填滿犧牲阻擋層；所述犧牲阻擋層為氮化鈦；于所述第二溝槽內(nèi)形成覆蓋所述犧牲氧化層的保護(hù)層；去除所述第一溝槽內(nèi)所述犧牲氧化層后，采用目標(biāo)氣體選擇性刻蝕并去除所述第一溝槽底部的部分襯底；于同一工藝步驟同期去除位于所述第二溝槽的所述保護(hù)層和所述犧牲氧化層；形成介電層，所述介電層覆蓋所述第二溝槽內(nèi)表面并填滿所述第一溝槽；于所述第二溝槽內(nèi)形成埋入式導(dǎo)線。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內(nèi)西淝河路88號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。