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龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利背照式圖像傳感器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119384059B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510001457.2，技術領域涉及：H10F39/18；該發明授權背照式圖像傳感器及其制備方法是由陳興設計研發完成，并于2025-01-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本背照式圖像傳感器及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種背照式圖像傳感器及其制備方法，包括：提供襯底，襯底內包括沿平行于襯底頂面的第一方向排布的第一區域、第二區域；基于同一光罩同時于第一區域內形成用于隔離光電二極管的第一溝槽，并于第二區域內形成用于隔離埋入式導線的第二溝槽；于第一溝槽內填滿犧牲阻擋層后，形成覆蓋第二溝槽內表面的保護層；去除第一溝槽內犧牲阻擋層后，采用目標氣體選擇性刻蝕并去除第一溝槽底部的部分襯底；去除保護層后，形成介電層，介電層覆蓋第二溝槽內表面并填滿第一溝槽；于第二溝槽內形成埋入式導線。本申請只需一張光罩，即可同時制作光電二極管之間的深隔離溝槽和金屬導線淺溝槽，從而節省光罩數量和降低成本。

本發明授權背照式圖像傳感器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種背照式圖像傳感器制備方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底內包括沿平行于所述襯底頂面的第一方向排布的第一區域、第二區域，所述第一區域內用于形成多個光電二極管，所述第二區域內用于形成多條埋入式導線；基于同一光罩同時于所述第一區域內形成用于隔離光電二極管的第一溝槽，并于所述第二區域內形成用于隔離埋入式導線的第二溝槽；采用第一次熱氧化工藝，于所述第一溝槽、所述第二溝槽內表面形成預設厚度的犧牲氧化層；所述犧牲氧化層為氧化硅層；于所述第一溝槽內填滿犧牲阻擋層；所述犧牲阻擋層為氮化鈦；于所述第二溝槽內形成覆蓋所述犧牲氧化層的保護層；去除所述第一溝槽內所述犧牲氧化層后，采用目標氣體選擇性刻蝕并去除所述第一溝槽底部的部分襯底；于同一工藝步驟同期去除位于所述第二溝槽的所述保護層和所述犧牲氧化層；形成介電層，所述介電層覆蓋所述第二溝槽內表面并填滿所述第一溝槽；于所述第二溝槽內形成埋入式導線。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。