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龍圖騰網恭喜三墾電氣株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112956004B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201880098998.X，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體裝置是由藤田直人設計研發完成，并于2018-11-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：半導體裝置具備：第二導電型的埋設區20，其被埋入于第一導電型的半導體襯底10的上表面的一部分；第二導電型的第一半導體區30，其覆蓋埋設區20而配置于半導體襯底10的上方，并且雜質濃度比埋設區20低；第一導電型的連接區40，其在配置有第一半導體區30的區域的剩余區域處被埋入于半導體襯底10的上表面的一部分，并且側面與作為第一半導體區30的下部的一部分的延伸區31連接；以及第一導電型的第二半導體區50，其配置于連接區40的上表面，并且側面與第一半導體區30連接。第一半導體區30的延伸區31在第二半導體區50的端部的下方延伸而與連接區40的側面相接。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，其具備： 第一導電型的半導體襯底； 第二導電型的埋設區，其被埋入于所述半導體襯底的上表面的一部分； 第二導電型的第一半導體區，其覆蓋所述埋設區而選擇性地配置于所述半導體襯底的上方，并且雜質濃度比所述埋設區低； 第一導電型的連接區，其在配置有所述第一半導體區的區域的剩余區域處被埋入于所述半導體襯底的上表面的一部分，并且側面與延伸區連接，該延伸區是所述第一半導體區的下部的一部分； 第一導電型的第二半導體區，其配置于所述連接區的上表面，并且側面與所述第一半導體區連接； 第二導電型的漏區，其配置于所述第一半導體區的上表面的一部分； 第二導電型的源區，其配置于所述第二半導體區的上表面的一部分；以及 柵極，其在所述漏區與所述源區之間配置于所述第二半導體區的上方， 所述第二半導體區的端部比所述連接區的端部更靠近所述埋設區側突出，所述第二半導體區的突出的所述端部與所述連接區的側面相接，所述第一半導體區的所述延伸區在所述第二半導體區的所述端部的下方延伸而與所述連接區的側面相接，并且在延伸的所述第一半導體區的下方僅存在所述半導體襯底， 所述埋設區的膜厚為所述連接區的膜厚以上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三墾電氣株式會社，其通訊地址為：日本埼玉縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。