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龍圖騰網(wǎng)恭喜太浩研究有限公司申請(qǐng)的專利具有富鍺溝道區(qū)的降低泄漏的晶體管獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113838755B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111084347.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)具有富鍺溝道區(qū)的降低泄漏的晶體管是由G.A.格拉斯;K.賈姆布納坦;A.S.墨菲;C.S.莫哈帕特拉;S.金;姜俊成設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2015-12-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本具有富鍺溝道區(qū)的降低泄漏的晶體管在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及具有富鍺溝道區(qū)的降低泄漏的晶體管。公開了用于制造配置有降低寄生泄漏（即通過與晶體管相關(guān)聯(lián)的源極區(qū)和漏極區(qū)之間的底層襯底的一部分的電流泄漏）的子鰭絕緣層的半導(dǎo)體晶體管器件的技術(shù)。通過制造襯底的子鰭區(qū)中的犧牲層在鰭的至少一個(gè)溝道區(qū)下面的晶體管來降低寄生泄漏。在處理期間，利用電介質(zhì)材料整體或部分地去除并替換子鰭區(qū)中的犧牲層。該電介質(zhì)材料增加鰭的對(duì)應(yīng)源極和漏極部分之間的襯底的電阻率，因此降低寄生泄漏。

本發(fā)明授權(quán)具有富鍺溝道區(qū)的降低泄漏的晶體管在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：提供襯底以及位于襯底上的溝道層，其中包括溝道層的至少一個(gè)鰭在源極區(qū)和漏極區(qū)之間，電介質(zhì)層在至少一個(gè)鰭中的每一個(gè)之間，并且犧牲層在襯底和溝道層之間的子鰭區(qū)中；去除至少一個(gè)鰭中的每一個(gè)之間的電介質(zhì)材料的一部分以暴露犧牲層的步長(zhǎng)；從襯底和溝道層之間的子鰭區(qū)去除犧牲層的至少一部分，由此暴露由壁限定的腔；以及將電介質(zhì)材料沉積在腔中，使得限定腔的壁完全襯有電介質(zhì)材料，并且襯有電介質(zhì)材料的腔限定氣隙。

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