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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利用于半導(dǎo)體工藝的方法與半導(dǎo)體裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110556339B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910085479.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)用于半導(dǎo)體工藝的方法與半導(dǎo)體裝置是由余德偉;陳建豪;梁品筑;楊儀辰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-01-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用于半導(dǎo)體工藝的方法與半導(dǎo)體裝置在說明書摘要公布了：一種用于半導(dǎo)體工藝的方法，此處所述的實(shí)施例一般關(guān)于形成柵極層于高深寬比的溝槽中的方法，其采用循環(huán)沉積?處理工藝。在一實(shí)施例中，方法包括對(duì)具有至少一結(jié)構(gòu)的基板表面進(jìn)行膜沉積工藝以形成順應(yīng)膜，且順應(yīng)膜形成于結(jié)構(gòu)的下表面上并沿著結(jié)構(gòu)的多個(gè)側(cè)壁表面；對(duì)基板表面進(jìn)行處理工藝，以形成個(gè)別的鹵素表面層或個(gè)別的鹵素封端層于側(cè)壁表面的個(gè)別上側(cè)部分上的順應(yīng)膜上；以及按序重復(fù)進(jìn)行膜沉積工藝與處理工藝，以將順應(yīng)膜填入結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)用于半導(dǎo)體工藝的方法與半導(dǎo)體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于半導(dǎo)體工藝的方法，包括：形成多個(gè)鰭狀物于一基板上，且所述多個(gè)鰭狀物的多個(gè)側(cè)壁與一下表面定義所述多個(gè)鰭狀物之間的一溝槽；將一柵極層填入該溝槽，包括在一工藝腔室中的該基板上進(jìn)行一循環(huán)的沉積-處理工藝，且該循環(huán)的沉積-處理工藝包括：形成該柵極層的第一部分于該溝槽中，且該柵極層的第一部分沿著所述多個(gè)鰭狀物的所述多個(gè)側(cè)壁；形成個(gè)別的多個(gè)鈍化層于所述多個(gè)鰭狀物的個(gè)別頂部的該柵極層的第一部分上；以及形成該柵極層的第二部分于所述多個(gè)鈍化層未覆蓋的該柵極層的第一部分上；以及在將該柵極層填入該溝槽之后，圖案化該柵極層以形成一柵極結(jié)構(gòu)于所述多個(gè)鰭狀物上。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。