恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司唐睿智獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體器件的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113078064B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-24發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010010414.8，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體器件的形成方法是由唐睿智;李波;劉琳;黃豪俊;劉佳磊設計研發完成，并于2020-01-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件的形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件的形成方法，包括步驟：提供襯底，所述襯底上形成有鰭部，所述鰭部包括密集區和稀疏區；在所述稀疏區的相鄰所述鰭部之間形成隔離件；在所述襯底上、所述鰭部的側壁和頂部上形成介質層；在所述介質層上以及所述隔離件的側壁上形成無定形硅層；采用濕法刻蝕工藝去除所述無定形硅層，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕液中含有醇。本發明采用濕法刻蝕工藝去除無定形硅層時，濕法刻蝕的刻蝕液中含有醇，這樣在去除無定形硅層的時候，隔離件和鰭部之間的無定形硅層可以被完全消除或基本消除，不會在鰭部和隔離件之間有殘留的無定形硅層，從而提高半導體器件的性能和質量。
本發明授權半導體器件的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括步驟： 提供襯底，所述襯底上形成有鰭部，所述鰭部包括密集區和稀疏區； 在所述稀疏區的相鄰所述鰭部之間形成隔離件，用于區分不同的功能區，所述隔離件呈倒梯形； 在所述襯底上、所述鰭部的側壁和頂部上形成介質層； 在所述介質層上以及所述隔離件的側壁上形成無定形硅層； 采用濕法刻蝕工藝去除所述無定形硅層，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕液中含有醇； 在形成所述無定形硅層之前，還包括：在所述襯底上、所述鰭部的側壁和頂部上形成TiN層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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