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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112151451B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910572382.8，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體結構及其形成方法是由唐睿智;李波;劉琳;黃豪俊;劉佳磊設計研發完成，并于2019-06-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：提供基底及凸出于所述基底的鰭部，所述基底包括第一區域和第二區域；在所述第一區域和第二區域的鰭部上形成第一功函數層；在所述第一功函數層上形成第二功函數層；在所述第二功函數層上形成第三功函數層；在所述第三功函數層上形成保護層；在所述第一區域和第二區域的基底上形成光刻膠涂層，所述光刻膠涂層覆蓋所述保護層；去除所述第一區域的所述光刻膠涂層，露出所述第一區域的保護層；去除露出的所述保護層；去除所述第一區域的所述第三功函數層。本發明有助于保護所述第一區域的所述第二功函數層，防止去除所述第一區域的所述光刻膠涂層的工藝中，所述第一區域的所述第二功函數層受到刻蝕。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構形成方法，其特征在于，包括：提供基底及凸出于所述基底的鰭部，所述基底包括第一區域和第二區域；在所述第一區域和第二區域的鰭部上形成第一功函數層；在所述第一功函數層上形成第二功函數層；在所述第二功函數層上形成第三功函數層；在所述第三功函數層上形成保護層；在所述第一區域和第二區域的基底上形成光刻膠涂層，所述光刻膠涂層覆蓋所述保護層；去除所述第一區域的所述光刻膠涂層，露出所述第一區域的保護層；去除露出的所述保護層；去除所述第一區域的所述第三功函數層；去除所述第二區域的所述光刻膠涂層；去除所述第二區域的所述保護層；在所述第一區域的所述第二功函數層上形成第四功函數層，在所述第二區域的第三功函數層上形成第五功函數層；其中，所述保護層用于在去除所述光刻膠涂層的過程中保護所述第一區域的第三功函數層，進而保護所述第一區域的第二功函數層，避免所述第一區域的第二功函數層受到損傷；形成所述光刻膠涂層后，去除所述第一區域的所述光刻膠涂層前，還包括：在所述光刻膠涂層頂部形成氧化層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。