恭喜中國科學院微電子研究所;西安電子科技大學陳曉娟獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中國科學院微電子研究所;西安電子科技大學申請的專利一種適用于劃片后分立器件的提參建模方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114792081B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110109527.8，技術領域涉及：G06F30/373；該發明授權一種適用于劃片后分立器件的提參建模方法是由陳曉娟;劉新宇;丁武昌;張昇;李艷奎;劉果果;袁婷婷;鄭英奎;魏珂;金智設計研發完成，并于2021-01-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種適用于劃片后分立器件的提參建模方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種適用于劃片后分立器件的提參建模方法，包括：將左側焊盤、劃片后的待測器件和右側焊盤通過金絲鍵合方式連接成GSG在片測試結構；測量得到由左、右側焊盤引起的左、右兩側補償網絡的容性補償參數；基于左、右側焊盤分別與待測器件之間的直通距離分別確定由金絲鍵合的金絲線引起的左、右兩側補償網絡的感性補償參數；根據左、右兩側補償網絡的感性補償參數和容性補償參數確定左、右兩側補償網絡的S參數；將左、右兩側補償網絡的S參數分別添加至矢量網絡分析儀的測試校準補償數據的輸入和輸出端，以去除GSG在片測試結構布線影響。本發明可以快速有效的獲得精確的大信號模型，規避了器件工藝的片間不均勻所帶來的模型變動。
本發明授權一種適用于劃片后分立器件的提參建模方法在權利要求書中公布了：1.一種適用于劃片后分立器件的提參建模方法，其特征在于，包括以下步驟：將左側焊盤、劃片后的待測器件和右側焊盤通過金絲鍵合方式連接成GSG在片測試結構；測量得到由左、右側焊盤引起的左、右兩側補償網絡的容性補償參數；基于左、右側焊盤分別與待測器件之間的直通距離Lm和Ln分別確定由金絲鍵合的金絲線引起的左、右兩側補償網絡的感性補償參數；根據左、右兩側補償網絡的感性補償參數和容性補償參數確定左、右兩側補償網絡的S參數；將左、右兩側補償網絡的S參數分別添加至矢量網絡分析儀的測試校準補償數據的輸入和輸出端，以去除GSG在片測試結構布線影響，用于分立器件的提參建模。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所;西安電子科技大學，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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