恭喜納微朗科技(深圳)有限公司閆春輝獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜納微朗科技(深圳)有限公司申請的專利發光器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114914335B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110185349.7，技術領域涉及：H10H20/819；該發明授權發光器件及其制造方法是由閆春輝;蔣振宇;馬爽設計研發完成，并于2021-02-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本發光器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體技術領域，具體公開了一種發光器件及其制造方法，該發光器件包括襯底以及以外延生長方式疊層形成于襯底上的多層外延層，在發光器件內設置有多個人工微坑，人工微坑以襯底和或多層外延層中的至少一外延層為中止層，并延伸至后續形成于中止層上的后續外延層內，其中人工微坑在垂直于襯底的第一參考平面上的第一橫截面形狀呈非等腰三角形設置。通過上述方式，使人工微坑的形狀和尺寸靈活可控，進而實現優化人工微坑的空穴注入效果。
本發明授權發光器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種發光器件，其特征在于，所述發光器件包括襯底以及以外延生長方式疊層形成于所述襯底上的多層外延層，在所述發光器件內設置有多個人工微坑，所述人工微坑以所述襯底和或所述多層外延層中的至少一外延層為中止層，并延伸至后續形成于所述中止層上的后續外延層內，其中所述人工微坑在垂直于所述襯底的第一參考平面上的第一橫截面形狀呈非等腰三角形設置；所述人工微坑進一步劃分成以人為方式形成于所述中止層內的起始微坑以及在所述起始微坑的誘導作用下隨所述后續外延層的外延生長形成于所述后續外延層內的誘導微坑，其中所述起始微坑在所述中止層朝向所述后續外延層的一側表面上形成一開口，且所述開口的尺寸設置成使得所述后續外延層在外延生長過程中形成的所述誘導微坑在平行于所述襯底的第二參考平面上的橫截面形狀與所述開口在平行于所述襯底的第二參考平面上的橫截面形狀一致。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人納微朗科技(深圳)有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市龍華區觀瀾街道庫坑社區庫坑觀光路1310號廠房1棟409；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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