恭喜紹興中芯集成電路制造股份有限公司閭新明獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜紹興中芯集成電路制造股份有限公司申請的專利一種低應力MEMS器件制造方法及低應力MEMS器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114084867B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111161256.7，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權一種低應力MEMS器件制造方法及低應力MEMS器件是由閭新明;林欣蓉;魯列微設計研發完成，并于2021-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種低應力MEMS器件制造方法及低應力MEMS器件在說明書摘要公布了：本發明涉及一種低應力MEMS器件制造方法及低應力MEMS器件，其方法是在襯底上形成至少三層致密性自下而上由高到底的氧化層作為犧牲介質層，并在現有干法刻蝕后，增加濕法刻蝕改變干法刻蝕所形成的電極材料沉積窗口的側壁形貌，令其由陡直側壁變為圓弧形側壁，這樣上電極材料層沉積后形成的電極填充部也為圓弧形結構，可以顯著消除陡直結構造成的應力集中問題，有效延長MEMS器件的工作壽命。
本發明授權一種低應力MEMS器件制造方法及低應力MEMS器件在權利要求書中公布了：1.一種低應力MEMS器件制造方法，其特征在于，包括：提供襯底，在襯底表面形成下電極層，在下電極層表面形成犧牲介質層，犧牲介質層至少包括三層氧化層，犧牲介質層中氧化層的致密性自下而上由高到低變化；對犧牲介質層進行干法刻蝕形成電極材料沉積窗口，然后采用濕法刻蝕對電極材料沉積窗口的形貌進行圓弧化處理；在犧牲介質層上沉積電極材料層，并對電極材料層刻蝕形成釋放孔，經釋放孔刻蝕去除一部分犧牲介質層以形成空腔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人紹興中芯集成電路制造股份有限公司，其通訊地址為：312000 浙江省紹興市越城區皋埠街道臨江路518號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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