恭喜西安奕斯偉材料科技股份有限公司;西安芯暉設(shè)備技術(shù)有限公司薛兵獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜西安奕斯偉材料科技股份有限公司;西安芯暉設(shè)備技術(shù)有限公司申請的專利一種晶圓中金屬離子分布識別方法、裝置、電子設(shè)備和可讀存儲介質(zhì)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114332031B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202111652575.8,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G06T7/00;該發(fā)明授權(quán)一種晶圓中金屬離子分布識別方法、裝置、電子設(shè)備和可讀存儲介質(zhì)是由薛兵;韓建峰設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-12-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種晶圓中金屬離子分布識別方法、裝置、電子設(shè)備和可讀存儲介質(zhì)在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種晶圓中金屬離子分布識別方法、裝置、電子設(shè)備和可讀存儲介。晶圓中金屬離子分布識別方法包括以下步驟:獲取晶圓的灰度圖像;根據(jù)所述灰度圖像提取所述晶圓的N條灰度曲線,其中,所述晶圓由N個子區(qū)域構(gòu)成,N為大于1的整數(shù),所述子區(qū)域的形狀為與所述晶圓的半徑相同的扇形,且所述子區(qū)域的圓心和所述晶圓的圓心重合,每一所述灰度曲線對應(yīng)一個所述子區(qū)域,且所述灰度曲線反應(yīng)所述子區(qū)域沿半徑方向的灰度變化;疊加所述灰度曲線獲得所述晶圓的累加灰度曲線;檢測所述累加灰度曲線的波峰,其中,所述累加灰度曲線的波峰對應(yīng)所述晶圓中的金屬離子分布環(huán)。本發(fā)明實施例能夠提高金屬離子分布情況的評估的準確性和一致性。
本發(fā)明授權(quán)一種晶圓中金屬離子分布識別方法、裝置、電子設(shè)備和可讀存儲介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了:1.一種晶圓中金屬離子分布識別方法,其特征在于,包括以下步驟:獲取晶圓的灰度圖像;根據(jù)所述灰度圖像提取所述晶圓的N條灰度曲線,其中,所述晶圓由N個子區(qū)域構(gòu)成,N為大于1的整數(shù),所述子區(qū)域的形狀為與所述晶圓的半徑相同的扇形,且所述子區(qū)域的圓心和所述晶圓的圓心重合,每一所述灰度曲線對應(yīng)一個所述子區(qū)域,且所述灰度曲線反應(yīng)所述子區(qū)域沿半徑方向的灰度變化;疊加所述灰度曲線獲得所述晶圓的累加灰度曲線;檢測所述累加灰度曲線的波峰,其中,所述累加灰度曲線的波峰對應(yīng)所述晶圓中的金屬離子分布環(huán);根據(jù)所述灰度圖像提取所述晶圓的N條灰度曲線,包括:在第n個子區(qū)域內(nèi),沿著所述子區(qū)域的半徑方向,獲取各像素點的灰階值以及所述像素點與所述子區(qū)域的圓心之間的距離,其中,n為大于或等于1且小于N的整數(shù);以所述像素點與所述子區(qū)域的圓心之間的距離為第一維度的坐標,以所述像素點的灰階值為第二維度的坐標繪制第n個子區(qū)域的灰度曲線;遍歷所述N個子區(qū)域,獲得與所述N個子區(qū)域?qū)?yīng)的N條灰度曲線,其中,位于相鄰兩個子區(qū)域的邊界上的點的灰階值包含于至多一條所述灰度曲線;疊加所述灰度曲線獲得所述晶圓的累加灰度曲線,包括:以所述第一維度的坐標為基準,將所述N條灰度曲線的第二維度的坐標值疊加,獲得累加灰度曲線。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人西安奕斯偉材料科技股份有限公司;西安芯暉設(shè)備技術(shù)有限公司,其通訊地址為:710000 陜西省西安市高新區(qū)西灃南路1888號1-3-029室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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