恭喜晶澳(揚州)太陽能科技有限公司曹兵獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜晶澳(揚州)太陽能科技有限公司申請的專利一種太陽能電池選擇性發射極的制備方法及太陽能電池獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114497281B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210084988.9，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種太陽能電池選擇性發射極的制備方法及太陽能電池是由曹兵;陳斌;蔣秀林設計研發完成，并于2022-01-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種太陽能電池選擇性發射極的制備方法及太陽能電池在說明書摘要公布了：本發明涉及一種太陽能電池選擇性發射極的制備方法及太陽能電池，該方法包括如下步驟：步驟S1，對襯底進行摻雜元素的擴散，在所述襯底的表面形成輕摻雜層并在輕摻雜層上形成包含所述摻雜元素的重摻雜區擴散源層；步驟S2，通過電子束對所述重摻雜區擴散源層的預定區域進行照射以使所述摻雜元素進一步向所述襯底擴散，使得對應于所述預定區域的所述襯底的表面形成重摻雜區，預定區域之外的所述襯底的所述表面形成輕摻雜區。本發明的制備方法，以重摻雜區擴散源層作為擴散源，通過對重摻雜區擴散源層的預定區域進行照射，使得重摻雜區擴散源層中的摻雜元素進一步向襯底擴散，能夠形成圖案化的重摻雜區，并使所得的重摻雜區具有較高的表面摻雜濃度。
本發明授權一種太陽能電池選擇性發射極的制備方法及太陽能電池在權利要求書中公布了：1.一種太陽能電池選擇性發射極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟S1，對襯底進行摻雜元素的擴散，在所述襯底的表面形成輕摻雜層并在所述輕摻雜層上形成包含所述摻雜元素的重摻雜區擴散源層；以及步驟S2，通過電子束對所述重摻雜區擴散源層的預定區域進行多次照射以使所述摻雜元素進一步向所述襯底擴散，使得對應于所述預定區域的所述襯底的表面形成重摻雜區，所述預定區域之外的所述襯底的所述表面形成輕摻雜區，所述重摻雜區的表面濃度大于所述輕摻雜區的表面濃度；所述電子束的加速電壓為0.1～50kV；和或，所述電子束的劑量為1.0E14～1.0E18cm3；通過對x、y兩相互垂直方向上電場的調節，將所述電子束照射在所述重摻雜區擴散源層的預定區域上；通過調節與所述電子束掃描方向垂直的方向上的電場來控制柵線的間距。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶澳(揚州)太陽能科技有限公司，其通訊地址為：225009 江蘇省揚州市經濟開發區建華路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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