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龍圖騰網(wǎng)恭喜南京航空航天大學申請的專利改善石英襯底鈮酸鋰調制器芯片頻率特性的結構與方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115032823B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210730100.4，技術領域涉及：G02F1/035；該發(fā)明授權改善石英襯底鈮酸鋰調制器芯片頻率特性的結構與方法是由許向前;潘時龍;康曉晨;李思敏;王中盛設計研發(fā)完成，并于2022-06-24向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本改善石英襯底鈮酸鋰調制器芯片頻率特性的結構與方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種改善石英襯底鈮酸鋰調制器芯片頻率特性的結構與方法。該結構包括：載體芯片；設置在載體芯片上表面的有地共面波導結構以及設置在調制器芯片上表面的無地共面波導結構；分別設置在有地共面波導結構兩端的芯組互聯(lián)結構；設置在載體芯片下表面的金屬接地層；分別設置在第一接地區(qū)域上的多個金屬接地孔；分別設置于第一接地區(qū)域上和或第二接地區(qū)域上的多個接地微凸點；設置在行波傳輸線兩端的輸入電極和輸出電極；設置在輸入電極上和或寬帶傳輸線的輸入端上的輸入微凸點；設置在輸出電極上和或寬帶傳輸線的輸出端上的輸出微凸點；調制器芯片的上表面設置在載體芯片的上表面。本發(fā)明能夠提升接地連續(xù)性，進而提升芯片工作頻率。

本發(fā)明授權改善石英襯底鈮酸鋰調制器芯片頻率特性的結構與方法在權利要求書中公布了：1.一種改善石英襯底鈮酸鋰調制器芯片頻率特性的結構，其特征在于，包括：載體芯片；設置在所述載體芯片上表面的有地共面波導結構以及設置在調制器芯片上表面的無地共面波導結構，所述有地共面波導結構包括寬帶傳輸線和所述寬帶傳輸線兩側的第一接地區(qū)域，所述無地共面波導結構包括行波傳輸線、所述行波傳輸線兩側的第二接地區(qū)域以及所述行波傳輸線和所述第二接地區(qū)域之間的行波電極；分別設置在所述有地共面波導結構兩端的芯組互聯(lián)結構，每個芯組互聯(lián)結構分別連接所述寬帶傳輸線的輸入端和輸出端；設置在所述載體芯片下表面的金屬接地層；分別設置在所述第一接地區(qū)域上的多個金屬接地孔，所述多個金屬接地孔貫穿對應的第一接地區(qū)域上表面和對應的金屬接地層的下表面；分別設置于所述第一接地區(qū)域上和或所述第二接地區(qū)域上的多個接地微凸點；設置在所述調制器芯片的所述行波傳輸線兩端的輸入電極和輸出電極，以及設置在所述輸入電極上和或所述寬帶傳輸線的輸入端上的輸入微凸點，和設置在所述輸出電極上和或所述寬帶傳輸線的輸出端上的輸出微凸點；所述調制器芯片的上表面設置在所述載體芯片的上表面，且所述行波傳輸線與所述寬帶傳輸線相對應，所述輸入微凸點接觸所述寬帶傳輸線的輸入端和或所述輸入電極，所述輸出微凸點接觸所述寬帶傳輸線的輸出端和或所述輸出電極，所述多個接地微凸點接觸所述第二接地區(qū)域和或所述第一接地區(qū)域，實現(xiàn)所述多個接地微凸點將所述金屬接地孔中的地信號接入所述調制器芯片中。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人南京航空航天大學，其通訊地址為：210000 江蘇省南京市秦淮區(qū)御道街29號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。