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龍圖騰網恭喜武漢大學申請的專利一種硅基二維氮化鎵及其范德華外延制備方法、應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115295397B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210799338.2，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權一種硅基二維氮化鎵及其范德華外延制備方法、應用是由何軍;程瑞清;尹蕾;文耀;姜健設計研發完成，并于2022-07-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種硅基二維氮化鎵及其范德華外延制備方法、應用在說明書摘要公布了：本申請涉及無機半導體材料技術領域，特別涉及一種硅基二維氮化鎵及其范德華外延制備方法、應用。本申請提供的硅基二維氮化鎵的范德華外延制備方法，包括：以鎵金屬或氧化鎵作為鎵源，以尿素作為氮源，以表面帶有范德華材料的硅片作為生長基底，利用氣相沉積法制備得到硅基二維氮化鎵材料。本申請通過范德華外延技術，通過調控生長參數在范德華襯底上制備得到了硅基二維氮化鎵，其結晶質量高、穩定性好、制備成本低、合成速度快、尺寸和厚度可調，可作為光電探測器的光探測部件，用于紫外探測。

本發明授權一種硅基二維氮化鎵及其范德華外延制備方法、應用在權利要求書中公布了：1.一種硅基二維氮化鎵的范德華外延制備方法，其特征在于，包括：以鎵金屬或氧化鎵作為鎵源，以尿素作為氮源，以表面帶有范德華材料的硅片作為生長基底，利用氣相沉積法制備得到硅基二維氮化鎵材料；所述制備方法包括以下步驟：在硅片A的表面制備范德華材料，得到硅片-范德華材料復合基底；將鎵源壓印在硅片B的表面，得到金屬鎵膜，靜置，形成氧化鎵膜；將硅片-范德華材料復合基底倒扣在氧化鎵膜的上方，之后共同放置在雙溫區管式爐的后溫區，將氮源置于雙溫區管式爐的前溫區，在氫氣-氬氣的混合氛圍中加熱反應，反應結束后冷卻，即得到硅基二維氮化鎵材料；所述范德華材料選用云母、氮化硼或石墨的任一種；雙溫區管式爐前溫區的溫度設置為130-180℃，雙溫區管式爐后溫區的溫度設置為800-1050℃；氫氣的流量為10-50sccm，氬氣的流量為40-200sccm；硅片-范德華材料復合基底與氧化鎵膜之間間隔0.3-3mm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人武漢大學，其通訊地址為：430072 湖北省武漢市武昌區珞珈山；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。