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龍圖騰網恭喜西北工業大學申請的專利一種氧乙炔火焰處理MOF陣列表面原位快速生長CNTs的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116119651B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211600904.9，技術領域涉及：C01B32/162；該發明授權一種氧乙炔火焰處理MOF陣列表面原位快速生長CNTs的方法是由殷學民;劉慧敏;劉天宇;付前剛;李克智;李賀軍設計研發完成，并于2022-12-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種氧乙炔火焰處理MOF陣列表面原位快速生長CNTs的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種氧乙炔火焰處理MOF陣列表面原位快速生長CNTs的方法，首先在基底上制備MOF陣列，既作為CNTs生長的基底，又為CNTs生長提供催化劑；CNTs生長的碳源來源于MOF自身熱解產生的含碳小分子氣體以及火焰燃燒剩余的乙炔。通過調控碳源與氧氣比例、處理時間、距離等工藝參數，實現MOF陣列的快速碳化并保證陣列結構完整性，CNTs的原位快速生長。此外，CNTs與基底間具有良好的結合力。本發明相比與傳統方法利用MOF制備碳納米催化材料，該工藝制備的碳納米催化材料保持陣列化特征，不僅可以避免后續應用中使用導電添加劑等，結構也具有良好的穩定性、大的比表面積、多的活性位點；同時，CNTs可以增大碳納米催化劑的比表面積，暴露更多活性位點，提高導電性。

本發明授權一種氧乙炔火焰處理MOF陣列表面原位快速生長CNTs的方法在權利要求書中公布了：1.一種氧乙炔火焰處理MOF陣列表面原位快速生長CNTs的方法，其特征在于步驟如下：步驟1、MOF陣列的制備：將基底浸泡在硝酸鹽水溶液中1~6h，再加入2-甲基咪唑水溶液，攪拌30~60s；室溫下靜置反應1~6h；反應物質水和無水乙醇洗滌多次后，烘干，在基底上沉積得到MOF陣列；步驟2、CNTs的制備：調節氧乙炔槍頭至生長有MOF陣列的基底表面距離為10~50mm，采用氧乙炔火焰處理0.5~5s后，關閉氧氣和乙炔，隨空氣冷卻降溫，在MOF陣列表面生長制備出CNTs；所述氧氣流量為0.1~0.5Ls；所述乙炔流量為0.1~0.5Ls；所述MOF陣列為Co-MOF、Fe-MOF、Ni-MOF、NiCo-MOF、CoFe-MOF、NiFe-MOF、NiCoFe-MOF中的一種。

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