恭喜中國科學(xué)院物理研究所陳小龍獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國科學(xué)院物理研究所申請的專利用于確定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN116165339B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202211636555.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G01N33/00;該發(fā)明授權(quán)用于確定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法是由陳小龍;盛達(dá);王國賓;王文軍;郭建剛;李輝設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-12-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本用于確定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種用于確定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法,包括如下步驟:1清潔碳化硅晶片表面;2使得達(dá)因液在清潔后的碳化硅晶片的兩個表面上分別形成均勻的液體涂層;2根據(jù)達(dá)因液在碳化硅晶片表面上的以下潤濕情況來判斷硅面和碳面:如果液體涂層連續(xù)不間斷,無收縮現(xiàn)象,則該表面為硅面;如果液體涂層斷斷續(xù)續(xù)并形成液滴,部分晶面顯露,則該表面為碳面。本發(fā)明是一種快速、便捷、無損的確定SiC襯底片、拋光片、研磨片和切割片硅面和碳面的方法。
本發(fā)明授權(quán)用于確定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種用于確定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法,包括如下步驟:(1)清潔碳化硅晶片表面;(2)使得達(dá)因液在清潔后的碳化硅晶片的兩個表面上分別形成均勻的液體涂層;(3)根據(jù)達(dá)因液在碳化硅晶片表面上的以下潤濕情況來判斷硅面和碳面:如果液體涂層連續(xù)不間斷,無收縮現(xiàn)象,則該表面為硅面;如果液體涂層斷斷續(xù)續(xù)并形成液滴,部分晶面顯露,則該表面為碳面;所述步驟(1)中的碳化硅晶片的晶體結(jié)構(gòu)類型為4H、6H或15R;所述步驟(1)中的碳化硅晶片的摻雜類型為n型、p型或半絕緣型;所述達(dá)因液的達(dá)因值為36mNm~44mNm。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人中國科學(xué)院物理研究所,其通訊地址為:100190 北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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