恭喜珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司謝梓翔獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司申請(qǐng)的專利溝槽型IGBT及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN111180338B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202010103077.7,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D12/01;該發(fā)明授權(quán)溝槽型IGBT及其制備方法是由謝梓翔;史波;肖婷;陳茂麟設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-02-19向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本溝槽型IGBT及其制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供了一種溝槽型IGBT及其制備方法。該制備方法包括以下步驟:S1,提供具有發(fā)射區(qū)的基體,形成貫穿基體的第一表面和發(fā)射區(qū)的溝槽;S2,形成覆蓋溝槽和第一表面的第一柵氧層,并形成覆蓋第一柵氧層的柵極層,柵極層中的部分填充于溝槽中;S3,在溝槽之間的基體中形成貫穿柵極層和第一柵氧層并延伸至發(fā)射區(qū)內(nèi)的接觸孔,在接觸孔的部分表面形成第二柵氧層,并在接觸孔中形成發(fā)射極,第二柵氧層隔離發(fā)射極和柵極層。該制備方法通過上述第二柵氧層隔離發(fā)射極和柵極層,有效避免了柵極和發(fā)射極短接而導(dǎo)致的IGBT失效。并且,上述制備方法中還能夠進(jìn)一步通過增大接觸孔與發(fā)射區(qū)的接觸面積,使得接觸孔與發(fā)射區(qū)之間的過電流能力增強(qiáng)。
本發(fā)明授權(quán)溝槽型IGBT及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種溝槽型IGBT的制備方法,其特征在于,包括以下步驟: S1,提供具有發(fā)射區(qū)的基體,形成貫穿所述基體的第一表面和所述發(fā)射區(qū)的溝槽; S2,形成覆蓋所述溝槽和所述第一表面的第一柵氧層,并形成覆蓋所述第一柵氧層的柵極層,所述柵極層中的部分填充于所述溝槽中; S3,在所述溝槽之間的所述基體中形成貫穿所述柵極層和所述第一柵氧層并延伸至所述發(fā)射區(qū)內(nèi)的接觸孔,在所述接觸孔的部分表面形成第二柵氧層,并在所述接觸孔中形成發(fā)射極,所述第二柵氧層隔離所述發(fā)射極和所述柵極層; 所述步驟S3包括: 形成覆蓋所述柵極層的層間介質(zhì)層; 形成從所述層間介質(zhì)層的表面貫穿至所述發(fā)射區(qū)內(nèi)的所述接觸孔,在所述接觸孔底部填充第一發(fā)射極材料,所述第一發(fā)射極材料的上表面低于位于所述第一表面上的所述第一柵氧層的下表面; 形成覆蓋所述接觸孔的裸露表面的所述第二柵氧層; 在所述接觸孔中除所述第二柵氧層之外的區(qū)域填充第二發(fā)射極材料,所述第二發(fā)射極材料與所述第一發(fā)射極材料接觸構(gòu)成所述發(fā)射極。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司,其通訊地址為:519070 廣東省珠海市前山金雞西路六號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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