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意法半導體股份有限公司A·加塔尼獲國家專利權

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龍圖騰網獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利用于功率MOSFET器件的抗老化架構獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112448566B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010920181.5,技術領域涉及:H02M1/08;該發明授權用于功率MOSFET器件的抗老化架構是由A·加塔尼;A·加斯帕里尼設計研發完成,并于2020-09-04向國家知識產權局提交的專利申請。

用于功率MOSFET器件的抗老化架構在說明書摘要公布了:本公開的實施例涉及一種用于功率MOSFET器件的抗老化架構。功率MOS級包括第一功率MOS器件和第二功率MOS器件,并聯連接在第一節點和第二節點之間,第一功率MOS器件具有第一額定電壓,并且第二功率MOS器件具有第二額定電壓,第二額定電壓低于第一額定電壓。驅動器電路被配置成在致動功率MOS級時,通過如下而以序列的方式來驅動第一和第二功率MOS器件的控制節點:在致動第二功率MOS器件之前,致動第一功率MOS器件。在解致動功率MOS級時,第一和第二功率MOS器件的控制節點通過如下而以序列的方式進一步被驅動:在解致動第一功率MOS器件之前,解致動第二功率MOS器件。

本發明授權用于功率MOSFET器件的抗老化架構在權利要求書中公布了:1.一種電路,包括: 功率MOS級;以及 驅動器電路,被配置成驅動所述功率MOS級; 其中所述功率MOS級包括第一功率MOS器件和第二功率MOS器件,所述第一功率MOS器件和所述第二功率MOS器件被并聯連接在第一節點與第二節點之間,所述第一功率MOS器件具有第一額定電壓,并且所述第二功率MOS器件具有第二額定電壓,所述第二額定電壓低于所述第一額定電壓;并且 其中所述驅動器電路被配置成在通過如下方式致動所述功率MOS級時,以序列的方式來驅動所述第一功率MOS器件和所述第二功率MOS器件的控制節點:在致動具有所述第二額定電壓的所述第二功率MOS器件之前,致動具有所述第一額定電壓的所述第一功率MOS器件。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體股份有限公司,其通訊地址為:意大利阿格拉布里安扎;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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