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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導(dǎo)體股份有限公司申請(qǐng)的專利用于功率MOSFET器件的抗老化架構(gòu)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112448566B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010920181.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M1/08；該發(fā)明授權(quán)用于功率MOSFET器件的抗老化架構(gòu)是由A·加塔尼;A·加斯帕里尼設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-04向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用于功率MOSFET器件的抗老化架構(gòu)在說(shuō)明書摘要公布了：本公開的實(shí)施例涉及一種用于功率MOSFET器件的抗老化架構(gòu)。功率MOS級(jí)包括第一功率MOS器件和第二功率MOS器件，并聯(lián)連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間，第一功率MOS器件具有第一額定電壓，并且第二功率MOS器件具有第二額定電壓，第二額定電壓低于第一額定電壓。驅(qū)動(dòng)器電路被配置成在致動(dòng)功率MOS級(jí)時(shí)，通過(guò)如下而以序列的方式來(lái)驅(qū)動(dòng)第一和第二功率MOS器件的控制節(jié)點(diǎn)：在致動(dòng)第二功率MOS器件之前，致動(dòng)第一功率MOS器件。在解致動(dòng)功率MOS級(jí)時(shí)，第一和第二功率MOS器件的控制節(jié)點(diǎn)通過(guò)如下而以序列的方式進(jìn)一步被驅(qū)動(dòng)：在解致動(dòng)第一功率MOS器件之前，解致動(dòng)第二功率MOS器件。

本發(fā)明授權(quán)用于功率MOSFET器件的抗老化架構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種電路，包括： 功率MOS級(jí)；以及 驅(qū)動(dòng)器電路，被配置成驅(qū)動(dòng)所述功率MOS級(jí)； 其中所述功率MOS級(jí)包括第一功率MOS器件和第二功率MOS器件，所述第一功率MOS器件和所述第二功率MOS器件被并聯(lián)連接在第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)之間，所述第一功率MOS器件具有第一額定電壓，并且所述第二功率MOS器件具有第二額定電壓，所述第二額定電壓低于所述第一額定電壓；并且 其中所述驅(qū)動(dòng)器電路被配置成在通過(guò)如下方式致動(dòng)所述功率MOS級(jí)時(shí)，以序列的方式來(lái)驅(qū)動(dòng)所述第一功率MOS器件和所述第二功率MOS器件的控制節(jié)點(diǎn)：在致動(dòng)具有所述第二額定電壓的所述第二功率MOS器件之前，致動(dòng)具有所述第一額定電壓的所述第一功率MOS器件。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人意法半導(dǎo)體股份有限公司，其通訊地址為：意大利阿格拉布里安扎；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。