意法半導體股份有限公司A·加塔尼獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利用于功率MOSFET器件的抗老化架構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112448566B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010920181.5，技術領域涉及：H02M1/08；該發明授權用于功率MOSFET器件的抗老化架構是由A·加塔尼;A·加斯帕里尼設計研發完成，并于2020-09-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于功率MOSFET器件的抗老化架構在說明書摘要公布了：本公開的實施例涉及一種用于功率MOSFET器件的抗老化架構。功率MOS級包括第一功率MOS器件和第二功率MOS器件，并聯連接在第一節點和第二節點之間，第一功率MOS器件具有第一額定電壓，并且第二功率MOS器件具有第二額定電壓，第二額定電壓低于第一額定電壓。驅動器電路被配置成在致動功率MOS級時，通過如下而以序列的方式來驅動第一和第二功率MOS器件的控制節點：在致動第二功率MOS器件之前，致動第一功率MOS器件。在解致動功率MOS級時，第一和第二功率MOS器件的控制節點通過如下而以序列的方式進一步被驅動：在解致動第一功率MOS器件之前，解致動第二功率MOS器件。
本發明授權用于功率MOSFET器件的抗老化架構在權利要求書中公布了：1.一種電路，包括： 功率MOS級；以及 驅動器電路，被配置成驅動所述功率MOS級； 其中所述功率MOS級包括第一功率MOS器件和第二功率MOS器件，所述第一功率MOS器件和所述第二功率MOS器件被并聯連接在第一節點與第二節點之間，所述第一功率MOS器件具有第一額定電壓，并且所述第二功率MOS器件具有第二額定電壓，所述第二額定電壓低于所述第一額定電壓；并且 其中所述驅動器電路被配置成在通過如下方式致動所述功率MOS級時，以序列的方式來驅動所述第一功率MOS器件和所述第二功率MOS器件的控制節點：在致動具有所述第二額定電壓的所述第二功率MOS器件之前，致動具有所述第一額定電壓的所述第一功率MOS器件。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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