東京毅力科創株式會社寺嶋亮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東京毅力科創株式會社申請的專利等離子體處理方法及等離子體處理裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112786442B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011217178.3，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權等離子體處理方法及等離子體處理裝置是由寺嶋亮;酒井讓設計研發完成，并于2020-11-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本等離子體處理方法及等離子體處理裝置在說明書摘要公布了：提供一種對有機膜的蝕刻形狀不良進行抑制的等離子體處理方法及等離子體處理裝置。該等離子體處理方法通過在有機膜上由含硅膜形成且具有開口部的掩模，對所述有機膜進行蝕刻，該等離子體處理方法具有：對所述掩模的形狀進行修復的工序，其中，對所述掩模的形狀進行修復的工序包括：對所述掩模的開口部的側壁進行改性的工序；以及對所述掩模的上表面進行蝕刻的工序。
本發明授權等離子體處理方法及等離子體處理裝置在權利要求書中公布了：1.一種等離子體處理方法，其通過在有機膜上由含硅膜形成且具有開口部的掩模，對所述有機膜進行蝕刻，所述等離子體處理方法具有： 對所述掩模的形狀進行修復的工序， 其中，對所述掩模的形狀進行修復的工序包括： 對所述掩模的開口部的側壁進行改性的工序；以及 對所述掩模的上表面進行蝕刻的工序， 在對所述掩模的開口部的側壁進行改性的工序中， 將所述掩模的開口部的側壁改性為SiC。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東京毅力科創株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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