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龍圖騰網(wǎng)獲悉新加坡商格羅方德半導(dǎo)體私人有限公司申請的專利晶體管裝置及形成晶體管裝置的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113675272B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110529061.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/65；該發(fā)明授權(quán)晶體管裝置及形成晶體管裝置的方法是由B·W·文;J·M·具設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-05-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本晶體管裝置及形成晶體管裝置的方法在說明書摘要公布了：本申請涉及晶體管裝置及形成晶體管裝置的方法。可提供一種LDMOS晶體管裝置，包括其中設(shè)有導(dǎo)電區(qū)的襯底，設(shè)于該襯底內(nèi)的第一隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)于該導(dǎo)電區(qū)內(nèi)的源區(qū)與漏區(qū)，設(shè)于該源區(qū)與該漏區(qū)之間的第二隔離局部隔離結(jié)構(gòu)，以及至少部分設(shè)于該第二隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)的柵極結(jié)構(gòu)。該第一隔離結(jié)構(gòu)可沿該導(dǎo)電區(qū)的邊界的至少一部分延伸，且該第二隔離結(jié)構(gòu)的深度可小于該第一隔離結(jié)構(gòu)的深度。在使用期間，可沿設(shè)于該第二隔離局部隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)的該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)面的至少一部分形成電子流的溝道。

本發(fā)明授權(quán)晶體管裝置及形成晶體管裝置的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種晶體管裝置，包括： 襯底，在其中設(shè)有導(dǎo)電區(qū)； 第一隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)于該襯底內(nèi)，其中，該第一隔離結(jié)構(gòu)沿該導(dǎo)電區(qū)的邊界的至少一部分延伸； 源區(qū)與漏區(qū)，設(shè)于該導(dǎo)電區(qū)內(nèi)； 第二隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)于該源區(qū)與該漏區(qū)之間，其中，該第二隔離結(jié)構(gòu)的深度小于該第一隔離結(jié)構(gòu)的深度； 柵極結(jié)構(gòu)，至少部分設(shè)于該第二隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)；以及 漂移區(qū)，設(shè)于該導(dǎo)電區(qū)內(nèi)， 其中，面向該源區(qū)的該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)面與該第二隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)面及該漂移區(qū)的側(cè)面垂直對齊。

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