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恭喜AMS有限公司格奧爾格·勒雷爾獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜AMS有限公司申請的專利單光子雪崩二極管和單光子雪崩二極管陣列獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN111033759B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-27發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201880051712.2,技術領域涉及:H10F77/30;該發明授權單光子雪崩二極管和單光子雪崩二極管陣列是由格奧爾格·勒雷爾設計研發完成,并于2018-07-26向國家知識產權局提交的專利申請。

單光子雪崩二極管和單光子雪崩二極管陣列在說明書摘要公布了:一種單光子雪崩二極管SPAD包括有源區10,該有源區布置為產生光子觸發的雪崩電流。覆蓋件12布置在有源區10上或之上。覆蓋件12對有源區10屏蔽入射光子。覆蓋件12包括至少第一金屬層和第二金屬層13、14的疊層。金屬層13、14的至少一個,例如第一金屬層13,包括孔15。金屬層13、14布置為相對于光軸OA在疊層中以沿著光軸OA開放有效孔18。通過有效孔18,有源區10的部分19暴露于沿著光軸OA入射的入射光子。有效孔18比布置在第一金屬層13中的孔15小。

本發明授權單光子雪崩二極管和單光子雪崩二極管陣列在權利要求書中公布了:1.一種單光子雪崩二極管SPAD,包括: 有源區(10),其布置為產生光子觸發的雪崩電流, 覆蓋件(12),其布置在所述有源區(10)上,并且對所述有源區(10)屏蔽入射光子; 其中: 所述覆蓋件(12)包括至少第一金屬層(13)和第二金屬層(14)的疊層, 至少所述第一金屬層(13)包括孔(15)并且所述第二金屬層(14)包括孔(17), 第一金屬層(13)和第二金屬層(14)相對于光軸(OA)布置為沿著所述光軸(OA)開放有效孔(18),通過所述有效孔,所述有源區(10)的部分(19)暴露于入射光子, 所述有效孔(18)比布置在所述第一金屬層(13)中的孔(15)小,并且 第一金屬層(13)中的孔(15)和第二金屬層(14)中的孔(17)相對于所述光軸(OA)偏移。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人AMS有限公司,其通訊地址為:奧地利普倫斯塔滕;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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