恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司張邦圣獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN110729246B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-24發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201910015643.6,技術領域涉及:H10D84/85;該發明授權半導體結構及其形成方法是由張邦圣;尹煜峰;王朝勛;趙高毅;楊復凱;王美勻;張峰瑜;高承遠;洪嘉陽;張家勝;孫書輝;謝志宏;潘昇良;郭國憑;吳少均設計研發完成,并于2019-01-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了:一種方法包含形成金屬柵極結構,金屬柵極結構包含柵極介電層及柵極電極。對金屬柵極結構的頂表面進行表面處理,表面處理將柵極電極的頂部轉變為氧化層。在柵極電極上方形成導電層,導電層的形成包含以金屬元素取代氧化層中的氧。在金屬柵極結構上方形成插塞部件,插塞部件與導電層直接接觸。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了:1.一種半導體結構的形成方法,包括: 形成一金屬柵極結構,其中該金屬柵極結構包括一柵極介電層及一柵極電極; 對該金屬柵極結構的一頂表面進行一表面處理,其中該表面處理將該柵極電極的一頂部轉變為一氧化層; 在該柵極電極上方形成一導電層,其中該導電層的形成包括以一金屬元素取代該氧化層中的氧;以及 在該金屬柵極結構上方形成一插塞部件,其中該插塞部件與該導電層直接接觸。
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