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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請(qǐng)的專利使用犧牲層的半導(dǎo)體掩模再成形獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113728414B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-24發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080030905.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/033；該發(fā)明授權(quán)使用犧牲層的半導(dǎo)體掩模再成形是由譚忠魁;蘇曉峰;向華;秦策設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-02-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本使用犧牲層的半導(dǎo)體掩模再成形在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本文提供了用于在蝕刻處理中進(jìn)行掩模重構(gòu)的方法和相關(guān)設(shè)備。所述方法涉及在掩模層上沉積犧牲層。犧牲層可用于通過(guò)抑制掩模層的蝕刻或在其上的沉積而在再成形期間保護(hù)掩模層的部分。在掩模再成形處理之后，可利用與用于蝕刻目標(biāo)材料相同的蝕刻處理以移除犧牲層。

本發(fā)明授權(quán)使用犧牲層的半導(dǎo)體掩模再成形在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種在目標(biāo)層的蝕刻處理期間使掩模層再成形的方法，其包含： 提供襯底至處理室，所述襯底包含設(shè)置于待蝕刻的目標(biāo)層上的圖案化掩模層，所述目標(biāo)層包含第一材料，所述第一材料相對(duì)于第一蝕刻化學(xué)品具有第一蝕刻速率，且所述圖案化掩模層包含第二材料，所述第二材料相對(duì)于所述第一蝕刻化學(xué)品具有第二蝕刻速率，其中所述第一蝕刻速率高于所述第二蝕刻速率； 在所述圖案化掩模層的部分上沉積犧牲層，所述犧牲層包含第三材料，所述第三材料相對(duì)于所述第一蝕刻化學(xué)品具有第三蝕刻速率，所述第三蝕刻速率高于所述第二蝕刻速率；以及 利用第二蝕刻化學(xué)品對(duì)所述圖案化掩模層進(jìn)行蝕刻，其中所述犧牲層抑制對(duì)被所述犧牲層覆蓋的所述圖案化掩模層的所述部分的蝕刻， 其中，第一材料、第二材料和第三材料選自以下組合之一： 所述第二材料為基于SiO2或基于SiN的材料，且所述第一材料和所述第三材料為基于硅的材料； 所述第二材料為基于SiON的材料，且所述第一材料和所述第三材料為基于碳的材料； 所述第二材料為基于碳的材料，且所述第一材料和所述第三材料為基于SiO2或基于SiON的材料； 所述第二材料為基于硅的材料，且所述第一材料和所述第三材料為基于SiO2或基于SiN的材料；或者 所述第二材料為基于SiO2的材料或基于SiN的材料，并且所述第一材料和第三材料為基于鎢的材料。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國(guó)加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。