恭喜世界先進積體電路股份有限公司巫建勛獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜世界先進積體電路股份有限公司申請的專利磁阻裝置及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112750942B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911044722.6，技術領域涉及：H10N50/80；該發明授權磁阻裝置及其形成方法是由巫建勛;張正平;李建輝;楊岱宜;陳永祥設計研發完成，并于2019-10-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本磁阻裝置及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種磁阻裝置及其形成方法。該磁阻裝置包含設置于襯底之上的磁阻、覆蓋磁阻的側表面的應力釋放結構、設置于磁阻之上的電連接結構、以及設置于電連接結構和應力釋放結構之上的鈍化層。本發明通過形成應力釋放結構覆蓋磁阻的側表面，釋放了施加于磁阻的應力，可以避免磁阻的圖案邊緣處發生局部裂開，進而避免磁阻的圖案邊緣發生局部剝離的問題。因此，本發明能提升磁阻裝置的制造良品率。
本發明授權磁阻裝置及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種磁阻裝置，其特征在于，包括： 一磁阻，設置于一襯底之上； 一應力釋放結構，覆蓋該磁阻的一側表面； 一電連接結構，設置于該磁阻之上；以及 一鈍化層，設置于該電連接結構和該應力釋放結構之上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人世界先進積體電路股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學園區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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