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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115513177B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110701060.6，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權半導體結構及其形成方法是由于海龍;張浩;許增升;王曉娟設計研發完成，并于2021-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，基底包括第一導電層和器件層；在基底內形成第一開口，第一開口底部暴露第一導電層表面；在基底內形成第二開口，第二開口底部暴露電阻層表面；采用第一選擇性成膜工藝，在暴露的第一導電層表面形成第二導電膜；采用第二選擇性成膜工藝，在第二導電膜和暴露的電阻層表面形成第三導電膜，第二選擇性成膜工藝與第一選擇性成膜工藝之間采用的反應氣體不同；在形成第三導電膜后，在第一開口內形成第四導電結構；在形成第三導電膜后，在第二開口內形成第五導電結構。從而，能夠在降低半導體結構的制造工藝難度的同時，使半導體結構的性能和可靠性較好。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括第一導電層和器件結構，所述基底還包括位于所述第一導電層和器件結構之間的第一介質層、位于第一介質層上的第二介質層、以及位于第一介質層和第二介質層之間的刻蝕停止層，所述第二介質層內具有電阻層，所述電阻層的材料包括氮化鈦； 位于第二介質層和刻蝕停止層內的第一開口，所述第一開口底部暴露出第一導電層；位于第二介質層內的第二開口，所述第二開口底部與電阻層內的電阻開口連通； 第二導電膜，所述第二導電膜位于部分第一開口內，覆蓋第一開口底部暴露的第一導電層頂面，所述第二導電膜的材料包括含氟鎢； 第三導電膜，所述第三導電膜位于部分第一開口內，覆蓋第一開口內的第二導電膜表面，所述第三導電膜還位于所述電阻開口和部分第二開口內，所述第三導電膜的材料包括無氟鎢； 第四導電結構，所述第四導電結構位于第一開口內的第三導電膜表面； 第五導電結構，所述第五導電結構位于第二開口內的第三導電膜表面； 其中，所述第二導電膜和所述第三導電膜在所述第四導電結構和所述第五導電結構之前形成；所述第四導電結構和所述第五導電結構采用選擇性金屬沉積工藝形成，且反應氣體包括六氟化鎢。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。