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恭喜華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司丁浩獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司申請的專利閃存器件的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114038853B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-20發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202111344997.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10B41/30;該發(fā)明授權(quán)閃存器件的制造方法是由丁浩;熊偉;陳華倫設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-11-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

閃存器件的制造方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種閃存器件的制造方法,包括以下步驟:硅襯底上方制作形成浮柵多晶硅、控制柵多晶硅;在控制柵多晶硅的上方形成第一氧化層;制作字線多晶硅和氮化硅本發(fā)明在制作控制柵多晶硅后在CG表面氧化一層氧化層,該氧化層作為阻擋層保護CG不被H3PO4腐蝕,從而避免浮柵多晶硅殘留,以解決閃存期間的單比特?zé)o法擦寫的問題。

本發(fā)明授權(quán)閃存器件的制造方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種閃存器件的制造方法,其特征在于,包括以下步驟: 硅襯底上方制作形成浮柵多晶硅、控制柵多晶硅; 在所述控制柵多晶硅的上方形成第一氧化層; 制作字線多晶硅和氮化硅; 去除存儲單元區(qū)域的所述氮化硅。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司,其通訊地址為:214028 江蘇省無錫市新吳區(qū)新洲路30號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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