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龍圖騰網恭喜杭州譜析光晶半導體科技有限公司申請的專利一種提高雙溝槽MOSFET元胞密度的工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119866023B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510340959.8，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種提高雙溝槽MOSFET元胞密度的工藝是由許一力;李鑫;劉倩倩設計研發完成，并于2025-03-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種提高雙溝槽MOSFET元胞密度的工藝在說明書摘要公布了：本發明涉及MOS半導體技術領域，且公開了一種提高雙溝槽MOSFET元胞密度的工藝，包括以下步驟：采用極紫外光刻技術在N襯底表面蝕刻形成凹槽；單個MOS元胞的溝槽內沉積兩個柵極G1和一個柵極G0；在柵極G1與柵極G0之間，以及相鄰MOS元胞的柵極G1之間通過離子注入形成P阱層、N阱層和P+層；并且在溝槽內部采用垂直于基板表面生長的多晶硅納米線來作為柵極。本發明通過在溝槽內部署多個柵極可以幫助分散施加于溝道上的電場強度，減少局部區域的電場集中現象，從而提高器件的長期可靠性和穩定性，并且這種采用多柵極設計充分利用了溝槽的垂直空間，實現了更高的集成度，在不顯著增加芯片面積的情況下提升了性能。

本發明授權一種提高雙溝槽MOSFET元胞密度的工藝在權利要求書中公布了：1.一種提高雙溝槽MOSFET元胞密度的工藝，其特征在于，包括以下步驟：S1、采用極紫外光刻技術在N襯底表面蝕刻形成凹槽；S2、單個MOS元胞的凹槽內沉積兩個柵極G1和一個柵極G0，柵極G0位于兩個柵極G1之間，并且柵極G0與兩個柵極G1之間的間距相等，其中柵極G0與兩個柵極G1之間形成雙溝槽結構；S3、在柵極G1與柵極G0之間，以及相鄰MOS元胞的柵極G1之間通過離子注入形成P阱層、N阱層和P+層；S4、并且在溝槽內部采用垂直于基板表面的多晶硅納米線來作為柵極，其中多晶硅納米線位于MOS元胞的一側與柵極G1和柵極G0均垂直連接；S5、在完成雙溝槽結構并進行表面鈍化處理后，再對MOSFET器件的電氣性能進行檢測。

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