恭喜杭州士蘭微電子股份有限公司馮榮杰獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)恭喜杭州士蘭微電子股份有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN111370403B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010196369.X，技術領域涉及：H10D89/10；該發(fā)明授權半導體器件及其制造方法是由馮榮杰設計研發(fā)完成，并于2020-03-19向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種半導體器件及其制造方法。該半導體器件包括：襯底；第一外延層，位于襯底上；第二外延層，位于第一外延層上；高壓器件，位于第一外延層與第二外延層中；低壓器件，位于第二外延層中；以及第一隔離區(qū)，位于第一外延層與第二外延層中，第一隔離區(qū)用于隔離高壓器件和低壓器件。本申請通過將低壓器件制作在第二外延層中，大幅度減小了低壓器件的尺寸，從而使芯片的整體面積顯著縮小。
本發(fā)明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 襯底； 第一外延層，位于所述襯底上； 第二外延層，位于所述第一外延層上； 高壓器件，位于所述第一外延層與所述第二外延層中； 低壓器件，位于所述第二外延層中；以及 第一隔離區(qū)，位于所述第一外延層與所述第二外延層中，所述第一隔離區(qū)用于隔離所述高壓器件和所述低壓器件， 其中，所述低壓器件包括第二埋層， 所述第一隔離區(qū)包括：上隔離區(qū)，所述低壓器件位于所述上隔離區(qū)中；以及下隔離區(qū)，位于所述上隔離區(qū)下方，并分別與所述上隔離區(qū)以及所述襯底相連。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人杭州士蘭微電子股份有限公司，其通訊地址為：310012 浙江省杭州市黃姑山路4號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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