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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113451123B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010211167.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/311；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由鄭二虎設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-03-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括中心區(qū)域和環(huán)繞中心區(qū)域的晶邊區(qū)域；在基底上形成目標(biāo)圖形層，位于中心區(qū)域的目標(biāo)圖形層為器件目標(biāo)圖形層，位于晶邊區(qū)域的目標(biāo)圖形層為偽目標(biāo)圖形層；在偽目標(biāo)圖形層中摻雜離子，形成摻雜圖形層，摻雜圖形層的被刻蝕難度小于器件目標(biāo)圖形層的被刻蝕難度；去除摻雜圖形層。本發(fā)明實(shí)施例在晶邊區(qū)域中的所述偽目標(biāo)圖形層中摻雜離子，形成摻雜圖形層，所述摻雜圖形層的被刻蝕難度小于所述器件目標(biāo)圖形層的被刻蝕難度；從而去除所述摻雜圖形層的過程中，器件目標(biāo)圖形層的損傷較小，有利于提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)電學(xué)性能的均一性。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括中心區(qū)域和環(huán)繞所述中心區(qū)域的晶邊區(qū)域； 在所述基底上形成已圖形化的目標(biāo)圖形層，位于所述中心區(qū)域的所述目標(biāo)圖形層為器件目標(biāo)圖形層，位于所述晶邊區(qū)域的所述目標(biāo)圖形層為偽目標(biāo)圖形層，在所述基底上形成目標(biāo)圖形層的步驟包括：在所述基底上形成目標(biāo)材料層；在所述目標(biāo)材料層上形成光刻膠材料層；對所述中心區(qū)域的光刻膠材料層和殘留在所述晶邊區(qū)域的光刻膠材料層進(jìn)行圖形化處理，形成光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜刻蝕所述目標(biāo)材料層，剩余的所述目標(biāo)材料層作為所述目標(biāo)圖形層； 在形成已圖形化的所述目標(biāo)圖形層之后，在所述偽目標(biāo)圖形層中摻雜離子，形成摻雜圖形層，所述摻雜圖形層的被刻蝕難度小于所述器件目標(biāo)圖形層的被刻蝕難度； 去除所述摻雜圖形層； 以所述器件目標(biāo)圖形層為掩膜刻蝕所述基底，形成襯底和位于所述襯底上的底部圖形。

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