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龍圖騰網(wǎng)恭喜株式會社理光申請的專利電子裝置及其生產(chǎn)方法、成像方法和成像設備獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114341745B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202080062990.5，技術領域涉及：G03G5/04；該發(fā)明授權電子裝置及其生產(chǎn)方法、成像方法和成像設備是由紙英利;淺野友晴;石井雅之;井上龍?zhí)O計研發(fā)完成，并于2020-07-21向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本電子裝置及其生產(chǎn)方法、成像方法和成像設備在說明書摘要公布了：提供了電子裝置，其包括：載體；包括電荷傳輸材料的電荷傳輸層或包括增感染料的增感染料電極層，其中電荷傳輸層或增感染料電極層被設置在載體上或上方；和金屬氧化物層，所述金屬氧化物層被設置在電荷傳輸層或增感染料電極層上或上方，其中金屬氧化物層包括p型半導體金屬氧化物和二氧化硅或金屬氧化物顆粒，并且其中金屬氧化物層中包括的二氧化硅或金屬氧化物顆粒量為相對于金屬氧化物層0.5質(zhì)量％以上但1.5質(zhì)量％以下。

本發(fā)明授權電子裝置及其生產(chǎn)方法、成像方法和成像設備在權利要求書中公布了：1.電子裝置，包括： 載體； 包括電荷傳輸材料的電荷傳輸層或包括增感染料的增感染料電極層，其中所述電荷傳輸層或所述增感染料電極層被設置在所述載體上或上方；和 金屬氧化物層，所述金屬氧化物層被設置在所述電荷傳輸層或所述增感染料電極層上或上方， 其中所述金屬氧化物層包括p型半導體金屬氧化物顆粒，并且其中所述金屬氧化物層進一步包括二氧化硅或金屬氧化物顆粒， 其中所述金屬氧化物層中包括的所述二氧化硅或金屬氧化物顆粒的量為相對于所述金屬氧化物層0.5質(zhì)量％以上但1.5質(zhì)量％以下， 其中所述p型半導體金屬氧化物是銅鋁氧化物，并且 其中所述金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物是氧化鋁或氧化鋅。

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