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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海瀚薪科技有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利碳化硅半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114551583B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202011344322.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)碳化硅半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管是由洪建中;朱國(guó)廷;李隆盛;李傳英設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-25向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本碳化硅半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及碳化硅半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括一碳化硅半導(dǎo)體基底及一溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括一垂直地設(shè)置并且沿一第一水平方向穿過(guò)的溝槽、一形成于該溝槽的一內(nèi)壁面的柵極絕緣層、一形成于該柵極絕緣層上的第一多晶柵極、一形成于該溝槽之外且位于該溝槽下方的屏蔽區(qū)以及一設(shè)置于該溝槽的一底壁和該屏蔽區(qū)之間的場(chǎng)板，該場(chǎng)板具有一半導(dǎo)體摻雜且側(cè)向地接觸一電流擴(kuò)散層以在施加一反向偏壓時(shí)經(jīng)由該場(chǎng)板空乏掉該電流擴(kuò)散層的電子。

本發(fā)明授權(quán)碳化硅半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種碳化硅半導(dǎo)體元件，其特征在于包括： 一第一碳化硅半導(dǎo)體層，具有一第一導(dǎo)電類(lèi)型； 一第二碳化硅半導(dǎo)體層，具有該第一導(dǎo)電類(lèi)型，該第二碳化硅半導(dǎo)體層包括一設(shè)置于該第一碳化硅半導(dǎo)體層上的漂移層以及一設(shè)置于該漂移層上的電流擴(kuò)散層； 一第三碳化硅半導(dǎo)體層，具有一第二導(dǎo)電類(lèi)型，設(shè)置于該第二碳化硅半導(dǎo)體層的一上表面上； 一第一半導(dǎo)體區(qū)域，具有該第一導(dǎo)電類(lèi)型，設(shè)置于該第三碳化硅半導(dǎo)體層之中； 一溝槽，垂直地穿透該第一半導(dǎo)體區(qū)域以及該第三碳化硅半導(dǎo)體層而至該第二碳化硅半導(dǎo)體層，且沿一第一水平方向延伸； 一第二半導(dǎo)體區(qū)域，具有該第二導(dǎo)電類(lèi)型，該第二半導(dǎo)體區(qū)域包括多條沿一第二水平方向延伸且形成于該第三碳化硅半導(dǎo)體層的第一部分以及至少一設(shè)置于位在該溝槽下方的該第二碳化硅半導(dǎo)體層之中的第二部分，該第一部分和該第二部分彼此鄰接，第二半導(dǎo)體區(qū)域作為拾取部； 一柵極部，埋入于該溝槽之中，包括一形成于該溝槽的一壁面的柵極絕緣層以及一形成于該柵極絕緣層上的多晶柵極； 一第三半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)置于該溝槽之外且具有該第二導(dǎo)電類(lèi)型，包括一至少部分地形成于該第二碳化硅半導(dǎo)體層之中且位于該溝槽和該第二半導(dǎo)體區(qū)域的該第二部分之間的場(chǎng)板，該場(chǎng)板側(cè)向地接觸該電流擴(kuò)散層，形成側(cè)向接面，在碳化硅半導(dǎo)體元件施加一反向偏壓時(shí)，經(jīng)由場(chǎng)板空乏掉電流擴(kuò)散層的電子； 一屏蔽區(qū)，具有該第二導(dǎo)電類(lèi)型，該屏蔽區(qū)位在該溝槽下方的該第二碳化硅半導(dǎo)體層之中，且位于該場(chǎng)板之下； 以及一金屬電極，與該第一半導(dǎo)體區(qū)域和該柵極部接觸。

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