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龍圖騰網恭喜鎧俠股份有限公司申請的專利半導體存儲裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115036320B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110804892.0，技術領域涉及：H10B43/10；該發明授權半導體存儲裝置是由鈴木拓也;伊豫田健設計研發完成，并于2021-07-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體存儲裝置在說明書摘要公布了：本發明的實施方式提供一種能夠較好地制造的半導體存儲裝置。本發明的實施方式的半導體存儲裝置具備具有排列于第1方向的第1區域及第2區域的襯底。第1區域具備：多個第1字線層，積層于第2方向；第1半導體層，沿第2方向延伸并具有與多個第1字線層對向的外周面；及第1電荷蓄積膜，設置于多個第1字線層與第1半導體層之間。第2區域具備：多個第1字線層的一部分，積層于第2方向；多個第1絕緣層，在第3方向上與多個第1字線層分開并積層于第2方向；第1接點，沿第2方向延伸并具有與多個第1絕緣層對向的外周面；第2半導體層，設置于多個第1字線層及多個第1絕緣層之間并沿第1方向及第2方向延伸；及第2電荷蓄積膜，設置于多個第1絕緣層與第2半導體層之間。

本發明授權半導體存儲裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體存儲裝置，其具備： 具有排列于第1方向的第1區域及第2區域的襯底；且 所述第1區域具備： 多個第1字線層，積層于與所述襯底的表面交叉的第2方向； 多個第2絕緣層，設置于所述多個第1字線層之間； 第1半導體層，沿所述第2方向延伸，具有與所述多個第1字線層對向的外周面；及 第1電荷蓄積膜，設置于所述多個第1字線層與所述第1半導體層之間；且 所述第2區域具備： 第1板，沿所述第1方向及所述第2方向延伸； 第2板，沿所述第1方向及所述第2方向延伸，從所述第1板沿與所述第1方向及所述第2方向垂直的第3方向與所述第1板分開； 第3板，設置于所述第1板與所述第2板之間，沿所述第1方向及所述第2方向延伸，且所述第1方向上的長度比所述第1板短； 第4板，設置于所述第2板與所述第3板之間，沿所述第1方向及所述第2方向延伸，且所述第1方向上的長度比所述第1板短； 所述多個第2絕緣層，設置于所述第3板與所述第4板之間； 多個第1絕緣層，設置于在所述第3板與所述第4板之間設置的所述多個第2絕緣層之間；及 第1接點，沿所述第2方向延伸，并具有與所述多個第1絕緣層及所述多個第2絕緣層對向的外周面；且 其中，所述多個第1字線層與所述多個第2絕緣層設置于所述第1板與所述第3板之間、所述第2板與所述第4板之間； 所述第3板具有：第2半導體層，設置于所述多個第1字線層及所述多個第1絕緣層之間，并沿所述第1方向及所述第2方向延伸；及第2電荷蓄積膜，設置于所述多個第1絕緣層、與所述第2半導體層之間； 所述第1絕緣層與所述第1字線層在所述第2區域直接連接； 不存在將所述第3板與所述第4板連接、并沿所述第2方向及所述第3方向延伸的板部件。

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