恭喜國立大學法人北海道大學富岡克廣獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜國立大學法人北海道大學申請的專利互補式開關元件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113474889B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-24發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980092971.4，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權互補式開關元件是由富岡克廣設計研發完成，并于2019-12-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本互補式開關元件在說明書摘要公布了：本發明的互補式開關元件具有具備第一導電型的溝道的第一TFET和具備第二導電型的溝道的第二TFET。第一TFET及第二TFET各自具有：摻雜為第一導電型的IV族半導體基板；配置于IV族半導體基板上的由III?V族化合物半導體構成的納米線；與IV族半導體基板連接的第一電極；與納米線連接的第二電極；以及向IV族半導體基板與納米線之間的界面施加電場的柵極電極。納米線包含與IV族半導體基板連接的第一區域和摻雜為第二導電型的第二區域。第一TFET中，第二電極為源極電極，且第一電極為漏極電極。第二TFET中，第一電極為源極電極，且第二電極為漏極電極。
本發明授權互補式開關元件在權利要求書中公布了：1.一種互補式開關元件，其具有具備第一導電型的溝道的第一隧道場效應晶體管、以及具備與所述第一導電型不同的第二導電型的溝道的第二隧道場效應晶體管，所述互補式開關元件中， 所述第一隧道場效應晶體管及所述第二隧道場效應晶體管各自具有： IV族半導體基板，其具有111面，且摻雜為所述第一導電型； III-V族化合物半導體納米線，其配置于所述111面上，且包含與所述111面連接的第一區域和摻雜為所述第二導電型的第二區域； 第一電極，其與所述IV族半導體基板連接； 第二電極，其與所述第二區域連接；以及 柵極電極，其向所述111面與所述第一區域之間的界面施加電場， 在所述第一隧道場效應晶體管中，所述第二電極為源極電極且所述第一電極為漏極電極， 在所述第二隧道場效應晶體管中，所述第一電極為源極電極且所述第二電極為漏極電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人國立大學法人北海道大學，其通訊地址為：日本北海道札幌市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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