恭喜嘉善復旦研究院徐雯龍獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜嘉善復旦研究院申請的專利多層電極連接結構、片上電容器和多層電極連接方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119767688B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510258824.7，技術領域涉及：H10D1/60；該發明授權多層電極連接結構、片上電容器和多層電極連接方法是由徐雯龍;朱寶;丁士進;張柏誠;吳洋洋;張立龍;余念文;張衛設計研發完成，并于2025-03-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本多層電極連接結構、片上電容器和多層電極連接方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體器件領域，提供一種多層電極連接結構、片上電容器和多層電極連接方法，該多層電極連接結構，應用于片上電容器內部，包括：襯底，用于提供位于底層的電極層的附著表面；設有刻蝕槽的電極層，用于提供導電的第一區域和第二區域；N層電極層中相鄰的刻蝕槽的輪廓在堆疊方向互不相交，N為大于2的正整數；電介質層，位于相鄰的電極層之間，用于提供絕緣的電介質。該結構用于減少多層電極中的段差，以確保電容器的性能。
本發明授權多層電極連接結構、片上電容器和多層電極連接方法在權利要求書中公布了：1.一種多層電極連接結構，應用于片上電容器內部，其特征在于，包括： 襯底，用于提供位于底層的電極層的附著表面； 設有刻蝕槽的N層電極層，N為大于2的正整數；所述電極層被刻蝕槽分割為用于導電的第一區域和第二區域；沿堆疊方向，所述N層電極層包括奇數位第一電極層、偶數位第一電極層、奇數位第二電極層和偶數位第二電極層； 所述奇數位第一電極層設有奇數位第一電極層刻蝕槽，所述偶數位第一電極層設有偶數位第一電極層刻蝕槽；所述奇數位第一電極層刻蝕槽與偶數位第一電極層刻蝕槽在堆疊方向上的輪廓互不相交； 所述奇數位第二電極層設有奇數位第二電極層刻蝕槽，所述偶數位第二電極層設有偶數位第二電極層刻蝕槽；所述奇數位第二電極層刻蝕槽與偶數位第二電極層刻蝕槽在堆疊方向上的輪廓互不相交； 電介質層，位于相鄰的電極層之間，用于提供絕緣的電介質。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人嘉善復旦研究院，其通訊地址為：314100 浙江省嘉興市嘉善縣惠民街道鑫達路8號鑫達科創園二期A-4一層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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