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龍圖騰網恭喜浙江翠展微電子有限公司申請的專利一種高功率密度混合灌封SIC模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119997471B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510467437.4，技術領域涉及：H05K7/20；該發明授權一種高功率密度混合灌封SIC模塊是由唐卓凡;歐東贏;吳瑞;彭昊設計研發完成，并于2025-04-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高功率密度混合灌封SIC模塊在說明書摘要公布了：本發明涉及功率模塊技術領域，特別涉及一種高功率密度混合灌封SIC模塊。所述高功率密度混合灌封SIC模塊包括散熱基板，芯片組件，以及外殼組件。散熱柱組件包括第一散熱柱，第二散熱柱，以及第三散熱柱。通過位于中心線上的所述第二散熱柱和位于兩側的所述第二散熱柱強制將冷卻液導向所述芯片下方，確保冷卻液充分覆蓋高發熱區域，避免冷卻液在邊緣區域無效循環，確保冷卻資源的高效利用。所述外殼組件包括外殼，液態環氧，以及硅凝膠。所述外殼的內側壁上設置有一圈緩沖區，所述液態環氧流入所述緩沖區中。緩沖區延緩了濕氣沿界面滲透的路徑，將單一方向的應力分解為多個方向的微小形變，解決了功率模塊在高溫高濕環境下易分層可靠性差的問題。

本發明授權一種高功率密度混合灌封SIC模塊在權利要求書中公布了：1.一種高功率密度混合灌封SIC模塊，所述高功率密度混合灌封SIC模塊與一個開設有水道的散熱底座相配合，通過流動的冷卻液進行換熱將芯片熱量帶走，其特征在于：所述高功率密度混合灌封SIC模塊包括一個散熱基板，一個設置在所述散熱基板上的芯片組件，以及一個設置在所述散熱基板上的外殼組件，所述散熱基板在背向所述芯片組件的一側設置有散熱柱組件，所述散熱柱組件包括至少兩個設置在所述散熱基板上的第一散熱柱，多個設置在所述散熱基板上的第二散熱柱，以及多個陣列設置在所述散熱基板上的第三散熱柱，所述第一散熱柱呈長條形且延伸方向平行于冷卻液的流動方向，兩個所述第一散熱柱位于所述散熱基板兩側，兩個所述第一散熱柱的排列方向垂直于冷卻液的流動方向，兩個所述第一散熱柱相向的一端呈鋸齒狀，所述第二散熱柱設置在所述散熱基板的中心線上和所述散熱基板的兩側，所述外殼組件包括一個設置在所述散熱基板上的外殼，一個設置在所述外殼內的液態環氧，以及一個設置在所述外殼內的硅凝膠，所述外殼的內側壁上設置有一圈緩沖區，所述緩沖區包括一個設置在所述外殼的內側壁上的第一緩沖槽，以及一個與所述第一緩沖槽連接的第二緩沖槽，所述第一緩沖槽一端與所述外殼的內側壁連通，另一端與所述第二緩沖槽連接，所述第二緩沖槽的一端與所述外殼的底部連通，在灌封時所述液態環氧流入所述緩沖區中，先灌封所述液態環氧填充所述芯片組件，再覆蓋灌封所述硅凝膠。

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